时间：2025/5/30 11:20:14
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HMC903LP3ETR 是一款高性能、低噪声的宽带放大器，采用GaAs pHEMT工艺制造。该芯片在宽频率范围内提供高增益和线性度，非常适合用于测试设备、微波无线电和军事雷达等应用。其封装形式为3x3 mm QFN，便于表面贴装。HMC903LP3ETR的工作电压范围较广，并且具备出色的稳定性。
频率范围：DC 至 18 GHz
增益：20 dB
噪声系数：2.5 dB
P1dB（输出功率1dB压缩点）：+17 dBm
电源电压：+4 V至+5 V
静态电流：75 mA
输入回波损耗：12 dB
输出回波损耗：10 dB
HMC903LP3ETR 提供了卓越的射频性能，尤其在宽带应用中表现突出。
1. 高增益和低噪声系数使得它适合用作低噪声放大器或驱动放大器。
2. 支持从直流到18GHz的极宽频率范围，适用于多种射频场景。
3. 芯片内部集成有偏置电路，简化了外部设计并提高了可靠性。
4. 具备良好的稳定性和温度特性，能够在严苛环境下工作。
5. 封装小巧，易于集成到紧凑型系统中。
这款放大器广泛应用于需要高增益、低噪声和宽带支持的领域：
1. 军事雷达系统中的接收机前端。
2. 商业通信设备如微波链路和卫星通信。
3. 测试与测量仪器，例如信号发生器和频谱分析仪。
4. 医疗成像技术中的信号增强部分。
5. 工业自动化控制中的无线数据传输模块。
HMC811LP3E, HMC906LP3E
