IXFK140N30P 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-247 封装形式。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
该芯片设计用于高压应用环境,具备出色的热稳定性和可靠性,能够承受较大的电流负载,并在高频开关条件下保持高效性能。
型号:IXFK140N30P
类型:N沟道功率MOSFET
封装:TO-247
最大漏源电压Vds:300V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:140A
导通电阻Rds(on):8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗Ptot:250W
结温范围Tj:-55°C 至 +175°C
开关频率:支持高达100kHz的应用
存储温度范围Tstg:-65°C 至 +150°C
IXFK140N30P 的主要特性包括以下几点:
1. 高电压操作能力,可承受300V的漏源电压,适用于多种高压场景。
2. 低导通电阻,典型值仅为8mΩ,从而降低导通损耗并提高整体效率。
3. 大电流处理能力,支持高达140A的连续漏极电流,满足大功率需求。
4. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并在高频应用中表现出色。
5. 强大的散热性能,能够在高温环境下可靠运行,最高结温可达175°C。
6. 良好的电气稳定性,确保长时间使用中的安全性和一致性。
7. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备的要求。
IXFK140N30P 在众多领域中得到了广泛应用,主要包括:
1. 开关电源(SMPS),如工业电源和通信电源。
2. DC-DC 转换器,用于电动汽车和太阳能逆变器等。
3. 电机驱动,适用于家用电器、工业机械和电动工具。
4. UPS 系统,提供可靠的备用电源解决方案。
5. 工业自动化设备,例如伺服控制器和变频器。
6. 充电器和电池管理系统,为便携式设备和储能系统供电。
其高效率和强耐用性使其成为这些应用的理想选择。
IXFN140N30P, IRFP260N, STP140N30F5