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IXFK140N30P 发布时间 时间:2025/5/8 9:09:01 查看 阅读:23

IXFK140N30P 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-247 封装形式。该器件具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
  该芯片设计用于高压应用环境,具备出色的热稳定性和可靠性,能够承受较大的电流负载,并在高频开关条件下保持高效性能。

参数

型号:IXFK140N30P
  类型:N沟道功率MOSFET
  封装:TO-247
  最大漏源电压Vds:300V
  最大栅源电压Vgs:±20V
  连续漏极电流Id:140A
  导通电阻Rds(on):8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗Ptot:250W
  结温范围Tj:-55°C 至 +175°C
  开关频率:支持高达100kHz的应用
  存储温度范围Tstg:-65°C 至 +150°C

特性

IXFK140N30P 的主要特性包括以下几点:
  1. 高电压操作能力,可承受300V的漏源电压,适用于多种高压场景。
  2. 低导通电阻,典型值仅为8mΩ,从而降低导通损耗并提高整体效率。
  3. 大电流处理能力,支持高达140A的连续漏极电流,满足大功率需求。
  4. 快速开关速度,有助于减少开关损耗并在高频应用中表现出色。
  5. 强大的散热性能,能够在高温环境下可靠运行,最高结温可达175°C。
  6. 良好的电气稳定性,确保长时间使用中的安全性和一致性。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设备的要求。

应用

IXFK140N30P 在众多领域中得到了广泛应用,主要包括:
  1. 开关电源(SMPS),如工业电源和通信电源。
  2. DC-DC 转换器,用于电动汽车和太阳能逆变器等。
  3. 电机驱动,适用于家用电器、工业机械和电动工具。
  4. UPS 系统,提供可靠的备用电源解决方案。
  5. 工业自动化设备,例如伺服控制器和变频器。
  6. 充电器和电池管理系统,为便携式设备和储能系统供电。
  其高效率和强耐用性使其成为这些应用的理想选择。

替代型号

IXFN140N30P, IRFP260N, STP140N30F5

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IXFK140N30P参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)300V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C140A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 70A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs185nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds14800pF @ 25V
  • 功率 - 最大1040W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装TO-264
  • 包装管件