JANTXV1N5531CUR-1 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的硅整流二极管,属于金属封装的高可靠性器件。该器件主要用于电源整流、电压抑制和保护电路中,适用于军事、航空航天以及高要求的工业应用。该二极管具有高反向电压能力和较强的正向电流承载能力,适合在极端环境条件下工作。
类型:硅整流二极管
最大正向电流:1.0 A
最大反向电压:100 V
正向电压(@1A):1.1 V(最大)
反向漏电流(@100V):5.0 μA(最大)
工作温度范围:-65°C 至 +200°C
封装形式:TO-205AD(金属罐封装)
可靠性等级:JANTXV
JANTXV1N5531CUR-1 二极管具有优异的电气和机械性能,适合高可靠性应用。其主要特性包括高反向电压耐受能力,最大可达100V,确保在高压环境中稳定工作;正向电流能力为1.0A,适用于中小型功率整流应用。该器件采用了金属封装(TO-205AD),具有良好的散热性能和机械强度,能够在极端温度条件下工作,其工作温度范围从-65°C到+200°C,非常适合航空航天和军事设备使用。
此外,该二极管通过了JANTXV等级认证,属于高可靠性器件,适用于对器件寿命和稳定性要求极高的场合。JANTXV是美国军用标准中的一个等级,代表器件在制造过程中经过严格的筛选和测试,确保其在关键应用中的长期可靠性。同时,该器件的正向压降较低,最大为1.1V(在1A电流下),有助于减少功率损耗,提高整体效率。
JANTXV1N5531CUR-1 主要应用于对器件可靠性和环境适应性有严格要求的领域。例如,在航空航天系统中,它被用于电源整流和电压保护电路,以确保电子设备在极端温度和振动条件下的稳定运行。在军事设备中,如雷达系统、通信设备和导航装置,该二极管常用于整流、反向电压保护和瞬态电压抑制。此外,它还广泛用于高可靠性工业控制系统、测试设备和医疗电子设备中,作为关键的功率整流元件。由于其JANTXV等级认证和金属封装设计,该器件也适用于需要长期稳定运行和高可靠性的卫星通信系统、深空探测设备等高端电子系统。
1N5531, JANTX1N5531, 1N4007