型号：HMC784MS8GETR
　　制造商：Analog Devices Inc. (ADI)
　　封装类型：SOT-23-8
　　工作频率范围：DC 至 6 GHz
　　增益：15.5 dB（典型值）
　　增益平坦度：±0.5 dB（在2 GHz以下），±1.0 dB（至6 GHz）
　　噪声系数：3.5 dB（典型值，2 GHz时）
　　输出P1dB：+16.5 dBm（典型值，2 GHz时）
　　三阶交调截点（OIP3）：+28 dBm（典型值，2 GHz时）
　　电源电压：+5 V
　　静态电流：115 mA（典型值）
　　输入/输出阻抗：50 Ω（内部匹配）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装尺寸：约 3 mm × 3 mm × 1.12 mm
　　安装方式：表面贴装（SMD）

HMC784MS8GETR具备卓越的宽带放大能力，可在从直流到6 GHz的宽频率范围内提供稳定且高度一致的增益响应。其典型增益为15.5 dB，并在整个频带内保持极佳的增益平坦度，尤其在2 GHz以下仅为±0.5 dB，即使扩展至6 GHz也控制在±1.0 dB以内，这使得它非常适合需要跨多个频段工作的多模或多标准通信系统。该器件采用硅锗（SiGe）工艺制造，结合了高性能与高集成度的优势，不仅提供了优异的高频表现，还具备良好的热稳定性和长期可靠性。其低噪声系数（典型值3.5 dB）确保在接收链前端不会显著劣化系统的信噪比，因此常用于低电平信号的预放大阶段。同时，高达+28 dBm的三阶交调截点（OIP3）和+16.5 dBm的输出1 dB压缩点表明其具有出色的线性性能，能够处理较高功率的信号而不引入明显失真，适用于高动态范围的应用场景。
　　HMC784MS8GETR内置完整的输入和输出匹配网络，无需外部分立元件即可实现50 Ω系统的良好匹配，大幅简化了射频电路的设计流程，缩短了产品开发周期。这种集成化设计也减少了因外部元件偏差带来的性能波动，提升了批量生产的一致性。该放大器使用+5V单电源供电，静态电流约为115mA，功耗适中，适合持续运行的通信设备。其SOT-23-8封装小巧紧凑，便于在高密度印刷电路板上布局，尤其适用于小型化基站、毫米波前端模块和便携式测试仪器等对空间要求严格的场合。此外，该器件具备优良的反向隔离特性，防止输出信号反馈影响前级电路，增强了系统稳定性。工作温度范围宽达-40°C至+85°C，满足工业级和部分军用环境的要求，可在恶劣条件下可靠运行。所有这些特性共同使HMC784MS8GETR成为现代宽带射频系统中理想的增益模块选择。

HMC784MS8GETR广泛应用于各类高频电子系统中，特别是在需要宽带、低噪声和高线性度放大的场景下表现出色。在无线通信基础设施中，它常用于蜂窝基站的射频前端模块，作为中频或射频信号的驱动放大器，支持LTE、5G NR等多种通信标准。在点对点和点对多点微波回传系统中，该器件可用于上下变频链路中的增益级，确保信号在长距离传输过程中的完整性。测试与测量设备如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪也普遍采用HMC784MS8GETR作为内部信号调理单元，因其宽频带和平坦响应可保证测量精度。在国防与航空航天领域，该放大器适用于雷达系统、电子战（EW）设备和卫星通信终端，承担低噪声放大或缓冲放大功能。此外，在宽带数据采集系统、高速ADC驱动器、混频器前置放大器以及光纤通信中的电光转换模块中，HMC784MS8GETR也能发挥关键作用。其小尺寸和高集成度特别适合构建紧凑型毫米波前端模组，支持新一代高频通信技术的发展。无论是民用还是军用平台，只要涉及GHz级别信号处理，HMC784MS8GETR都是一个值得信赖的核心组件。

HMC624LC5TR