时间：2025/9/7 7:31:10
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ESI-5BBR0836M01-T 是一款由 Everspin 生产的非易失性存储器（NVRAM）模块，结合了 SRAM 和 EEPROM 技术，具有高速访问和持久数据存储的特点。它适用于需要高可靠性和数据保持的应用，如工业控制系统、网络设备和数据记录器。
容量：8 Mbit
组织方式：1M x 8
接口类型：并行异步接口
工作电压：3.3V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
访问时间：55 ns
数据保持时间：10年（无电源）
ESI-5BBR0836M01-T 是一款高性能非易失性存储器芯片，具备 SRAM 的高速访问特性和 EEPROM 的非易失存储能力。该芯片采用先进的 Sonos 技术，能够在断电情况下保持数据完整性。其访问时间为 55 ns，支持高速数据读写操作，适合实时数据存储应用。此外，该器件具有较高的抗干扰能力和稳定性，适用于恶劣工业环境。其 3.3V 供电设计降低了功耗，同时确保了兼容性。芯片支持标准并行异步接口，便于与各种主控设备连接。TSOP 封装提供了良好的热性能和机械稳定性，适用于空间受限的设计。整体来看，ESI-5BBR0836M01-T 在性能、可靠性和易用性方面表现优异，适用于各种需要持久数据存储和高速访问的应用场景。
此外，该芯片具备自动存储器写保护功能，防止意外数据丢失或损坏，提升了系统安全性。同时，其内置的硬件写保护引脚提供了额外的控制选项，使得用户能够根据需要灵活配置存储器的写入操作。该器件还支持软件数据保护机制，如写入锁定命令，进一步增强了数据的完整性。ESI-5BBR0836M01-T 的设计使其能够无缝替代传统的 SRAM 加电池备份方案，避免了电池相关的维护问题，降低了系统复杂性和成本。
该芯片广泛应用于工业自动化设备、通信基础设施、医疗设备、数据采集系统、智能电表、存储器扩展模块、网络设备和嵌入式系统等领域。其高速存取和非易失特性使其成为需要频繁数据存储和断电保护的理想选择。
FS-RAMH-8M8A1A-55A95、CY14B108M-SNDRB1E、EM4836MCBC-25I
