HMC635是一款由Analog Devices(ADI)公司生产的GaAs MMIC(单片微波集成电路)低噪声放大器(LNA)。该器件工作在4至8 GHz的频率范围内,专为高性能和宽频带应用而设计。其高增益、低噪声系数以及优异的回波损耗性能使其非常适合于通信系统、点对点无线电、测试设备和雷达应用等场景。
该芯片采用+5V单电源供电,具有出色的线性度和稳定性,无需外部匹配元件即可实现宽带操作,简化了电路设计流程。
频率范围:4 GHz 至 8 GHz
增益:18.5 dB 典型值
噪声系数:1.2 dB 典型值
P1dB压缩点:+20 dBm 典型值
电源电压:+5V
静态电流:90 mA 典型值
回波损耗:-12 dB 典型值
HMC635采用了ADI公司的成熟pHEMT工艺制造,具备卓越的电气性能和可靠性。以下是其主要特点:
1. 宽带设计支持从4GHz到8GHz的连续覆盖,适合多种射频应用场景。
2. 极低的噪声系数确保信号质量,特别适用于接收链路中的前端放大。
3. 高增益特性减少了后续级联放大需求,从而降低了整体系统的复杂性和功耗。
4. 内置输入输出匹配网络,可直接连接50欧姆系统,大幅减少外围元器件数量。
5. 小巧的无引脚SMT封装形式(3x3 mm QFN),便于PCB布局并节省空间。
6. 工作温度范围广,可在-40°C至+85°C之间稳定运行,适应恶劣环境条件。
HMC635因其高频段特性和优秀性能,在多个领域得到了广泛应用:
1. 点对点与点对多点无线通信系统,提供稳定的中继放大数据传输。
2. 微波无线电设备,作为核心组件提升灵敏度和动态范围。
3. 测试测量仪器,如频谱分析仪或矢量网络分析仪中的前置放大器部分。
4. 雷达收发模块,增强目标检测能力的同时保持低相位噪声。
5. 卫星通信地面站,优化弱信号捕捉效率。
HMC471LP3E,HMC547LC3B,HMC920LP4E