工作频率范围：18 - 40 GHz
　　小信号增益：约20 dB（典型值）
　　噪声系数：约2.5 dB（典型值）
　　输入/输出匹配：50 Ω（标称）
　　OIP3（三阶交调截点）：约+15 dBm（典型值）
　　工作电压：+3.3 V 至 +5 V（典型）
　　静态电流：约70 mA（典型）
　　封装类型：陶瓷SMT封装或裸片形式
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　P1dB（压缩输出功率）：约+10 dBm

HMC365的核心特性之一是其卓越的宽带放大能力，能够在18 GHz至40 GHz的超宽频带内提供稳定的小信号增益，典型值约为20 dB。这种高增益表现使得它非常适合用于毫米波前端接收机中，作为第一级低噪声放大器来提升整体系统的灵敏度。该器件采用了优化的多级放大架构设计，在保证高增益的同时有效抑制了级间反射和驻波比，从而确保在整个工作频段内具有良好的输入和输出阻抗匹配（通常为50 Ω），减少了对外部匹配网络的依赖，简化了射频电路的设计流程。
　　另一个关键特性是其低噪声系数，典型值仅为2.5 dB，这表明HMC365在放大微弱信号时引入的额外噪声非常少，有助于提高接收系统的信噪比（SNR），特别适合远距离通信或低功率探测场景。此外，器件具备良好的线性性能，OIP3（输出三阶交调截点）可达+15 dBm左右，P1dB压缩点约为+10 dBm，意味着即使在较高输入功率下也能保持信号的保真度，避免非线性失真带来的干扰。这一特性对于多载波系统或存在强干扰信号的应用尤为重要。
　　HMC365采用GaAs pHEMT（伪型高电子迁移率晶体管）工艺制造，该工艺以其高频响应快、功耗适中和可靠性高等优点广泛应用于毫米波集成电路中。得益于先进的半导体工艺与精细的版图设计，该芯片在-40°C至+85°C的工业级温度范围内均能稳定工作，适应各种恶劣环境下的部署需求。其电源工作电压通常为3.3V至5V，静态电流约为70mA，属于中等功耗水平，适合持续运行的通信基础设施设备使用。封装方面，HMC365常以小型化陶瓷表面贴装封装（SMT）或裸片（die）形式提供，便于在高频PCB上进行精确布线，并支持共面波导或微带线连接方式，最大限度降低寄生效应的影响。

HMC365广泛应用于需要高性能射频放大的毫米波通信与传感系统中。在点对点和点对多点无线回传系统中，该器件常被用作接收前端的第一级低噪声放大器，用于增强从天线接收到的微弱高频信号，从而提升链路预算和通信距离。由于其工作频率覆盖K波段和Ka波段（特别是18–40 GHz范围），因此非常适合用于高容量微波骨干网和5G前传/回传网络中的毫米波传输模块。
　　在卫星通信领域，HMC365可用于地面站接收机中，放大来自低功率卫星转发器的下行信号，尤其是在VSAT（甚小口径终端）系统中，其低噪声特性和高增益能力可显著改善系统G/T值（增益与噪声温度比），提高数据接收质量。此外，在雷达系统尤其是相控阵雷达和毫米波成像雷达中，HMC365可集成于T/R（收发）模块内部，作为接收通道的关键增益元件，帮助实现高分辨率目标检测与跟踪。
　　在测试与测量仪器方面，诸如频谱分析仪、信号发生器或网络分析仪等高端设备也常采用HMC365来构建其内部射频前端，以确保在高频段仍具备足够的动态范围和测量精度。此外，该芯片还可用于航空航天电子系统、电子战（EW）设备以及科研级毫米波实验平台中，支持对高频信号的高保真采集与处理。得益于其稳定的温度性能和坚固的陶瓷封装，HMC365也适用于户外长期运行或移动平台上的通信节点。

HMC565
　　HMC665
　　ADAR1000