时间：2025/12/25 20:03:43
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HMC3587LP3BE是一款由Analog Devices（ADI）公司生产的高性能、宽带宽、低噪声放大器（LNA），专为微波和射频应用设计。该器件采用先进的GaAs（砷化镓）工艺制造，能够在24 GHz至40 GHz的高频范围内稳定工作，适用于毫米波通信系统、点对点无线回传、卫星通信以及雷达系统等高端应用场景。HMC3587LP3BE封装于紧凑的3 mm × 3 mm陶瓷无引线封装（SMT），具有优异的热性能和机械稳定性，适合在高密度PCB布局中使用。
这款放大器具备出色的增益平坦度和线性度，在整个工作频段内提供典型的18 dB小信号增益，同时保持较低的噪声系数（典型值为2.6 dB），确保了接收链路的高灵敏度。其内部集成了匹配网络，简化了外部电路设计，减少了客户在高频匹配调试上的投入。此外，HMC3587LP3BE支持5 V单电源供电，静态电流约为135 mA，兼顾了性能与功耗之间的平衡，适合长期运行的通信基础设施设备。
型号：HMC3587LP3BE
制造商：Analog Devices
封装类型：3 mm × 3 mm LPCC（无引线陶瓷芯片载体）
工作频率范围：24 GHz 至 40 GHz
小信号增益：典型18 dB
噪声系数：典型2.6 dB，最大3.2 dB
输出P1dB：典型10 dBm
OIP3（三阶交调截点）：典型19 dBm
电源电压：5 V
静态电流：典型135 mA，最大150 mA
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
输入/输出阻抗：50 Ω
集成直流偏置电路：是
封装形式：表面贴装（SMT）
ROHS合规性：符合
HMC3587LP3BE的一个显著特性是其宽频带操作能力，覆盖从24 GHz到40 GHz的超宽带频率范围，使其能够适应多种毫米波应用需求，例如E波段通信系统和多通道无线桥接设备。该器件在全频段内展现出良好的增益平坦度（±0.5 dB以内），有效减少信号失真，提升系统整体动态范围。其内部已集成输入和输出匹配网络，无需外部分立元件进行50欧姆匹配，极大简化了射频前端设计流程，并降低了因寄生效应引起的性能波动。
另一个关键特性是低噪声系数，典型值仅为2.6 dB，这使得HMC3587LP3BE非常适合用于接收机前端的第一级放大，有助于提高系统的信噪比和接收灵敏度。同时，它具备较高的线性度表现，OIP3达到19 dBm，P1dB压缩点为10 dBm，能够在存在强干扰信号的环境中保持良好工作状态，避免非线性失真影响通信质量。这种高线性与低噪声的结合，使该器件特别适用于高数据速率传输场景，如5G回传、高清视频流无线传输等。
该芯片采用GaAs pHEMT工艺制造，具备优良的高频响应特性和温度稳定性。其内置的偏置电路通过集成负反馈机制实现自动工作点稳定，防止温度漂移导致性能下降。此外，陶瓷封装提供了优异的散热性能和电磁屏蔽效果，有助于维持高频下的信号完整性。所有这些特性共同保证了HMC3587LP3BE在严苛环境下的长期可靠运行，满足工业级和通信级设备的要求。
HMC3587LP3BE广泛应用于需要高性能毫米波放大的系统中，尤其适用于E波段（24–40 GHz）的点对点和点对多点无线通信系统，包括城市间高速数据链路、蜂窝网络回程（Backhaul）以及最后一公里接入解决方案。由于其卓越的噪声性能和增益稳定性，常被用作接收链路中的低噪声放大器，以增强微弱信号并改善系统灵敏度。
在雷达系统中，该器件可用于车载毫米波雷达或远程探测雷达的前端模块，支持高分辨率成像和目标识别功能。其宽带特性也使其适用于测试与测量仪器，如频谱分析仪、信号发生器和矢量网络分析仪中的射频前端模块，确保测试设备在高频段仍能保持精确的信号处理能力。
此外，HMC3587LP3BE还可用于卫星通信地面站设备，特别是在低地球轨道（LEO）卫星互联网终端中，作为上行或下行链路的关键增益单元。其小型化封装便于集成到相控阵天线单元或多通道MIMO系统中，支持波束成形和空间复用技术的发展。在科研领域，该芯片也被用于太赫兹前端原型开发和高频实验平台搭建，推动下一代无线通信技术的研究进展。
HMC565LP3E
HMC1057LP3E
ADMV8818
