HMC321LP4是一款由Analog Devices Inc.(ADI)制造的GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),采用塑料QFN封装。该器件设计用于微波无线电、点对点无线电和VSAT应用,具有高增益、低噪声和出色的线性度等特性。其工作频率范围为5到10 GHz,并且能够提供卓越的射频性能,同时保持较低的功耗。
HMC321LP4在小尺寸和高性能之间实现了平衡,使其非常适合需要紧凑型设计的应用场景。此外,它还集成了输入和输出匹配网络以及偏置电路,从而简化了设计并减少了外部组件的数量。
工作频率范围:5至10 GHz
增益:16 dB
噪声系数:1.7 dB
P1dB压缩点:+18 dBm
三阶交调截点(IIP3):+34 dBm
电源电压:+5 V
典型功耗:105 mA
封装形式:4x4 mm QFN
HMC321LP4采用了ADI公司先进的GaAs pHEMT工艺制造,具备以下特点:
1. 高增益和低噪声系数,在5到10 GHz的宽频带范围内表现出色。
2. 优异的线性度,具有较高的P1dB和IIP3指标,适合于要求苛刻的通信系统。
3. 内部集成有匹配网络和偏置电路,使得外部元件需求降到最低,简化了设计流程。
4. 小巧的4x4 mm QFN封装形式,有利于节省PCB空间。
5. 工作温度范围广泛,从-40°C到+85°C,适应各种环境条件下的使用需求。
6. 单正电源供电(+5V),易于与其它系统模块集成。
HMC321LP4适用于多种高频射频应用领域,包括但不限于:
1. 微波无线电系统中的接收端信号增强。
2. 点对点无线通信设备,如基站或中继站。
3. VSAT(甚小孔径终端)系统的前端放大。
4. 测试测量仪器,例如频谱分析仪或网络分析仪。
5. 其他任何需要在5至10 GHz频段内实现高效信号放大的场合。
HMC320LP4E, HMC322LP4E