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HMC321LP4 发布时间 时间:2025/5/29 2:01:01 查看 阅读:6

HMC321LP4是一款由Analog Devices Inc.(ADI)制造的GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),采用塑料QFN封装。该器件设计用于微波无线电、点对点无线电和VSAT应用,具有高增益、低噪声和出色的线性度等特性。其工作频率范围为5到10 GHz,并且能够提供卓越的射频性能,同时保持较低的功耗。
  HMC321LP4在小尺寸和高性能之间实现了平衡,使其非常适合需要紧凑型设计的应用场景。此外,它还集成了输入和输出匹配网络以及偏置电路,从而简化了设计并减少了外部组件的数量。

参数

工作频率范围:5至10 GHz
  增益:16 dB
  噪声系数:1.7 dB
  P1dB压缩点:+18 dBm
  三阶交调截点(IIP3):+34 dBm
  电源电压:+5 V
  典型功耗:105 mA
  封装形式:4x4 mm QFN

特性

HMC321LP4采用了ADI公司先进的GaAs pHEMT工艺制造,具备以下特点:
  1. 高增益和低噪声系数,在5到10 GHz的宽频带范围内表现出色。
  2. 优异的线性度,具有较高的P1dB和IIP3指标,适合于要求苛刻的通信系统。
  3. 内部集成有匹配网络和偏置电路,使得外部元件需求降到最低,简化了设计流程。
  4. 小巧的4x4 mm QFN封装形式,有利于节省PCB空间。
  5. 工作温度范围广泛,从-40°C到+85°C,适应各种环境条件下的使用需求。
  6. 单正电源供电(+5V),易于与其它系统模块集成。

应用

HMC321LP4适用于多种高频射频应用领域,包括但不限于:
  1. 微波无线电系统中的接收端信号增强。
  2. 点对点无线通信设备,如基站或中继站。
  3. VSAT(甚小孔径终端)系统的前端放大。
  4. 测试测量仪器,例如频谱分析仪或网络分析仪。
  5. 其他任何需要在5至10 GHz频段内实现高效信号放大的场合。

替代型号

HMC320LP4E, HMC322LP4E

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HMC321LP4参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态停产
  • 射频类型通用
  • 拓扑吸收
  • 电路SP8T
  • 频率范围0Hz ~ 8GHz
  • 隔离25dB
  • 插损2.7dB
  • 测试频率8GHz
  • P1dB23dBm
  • IIP340dBm
  • 特性-
  • 阻抗50 欧姆,75 欧姆
  • 电压 - 供电5V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-VFQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装24-QFN(4x4)