时间：2025/6/24 3:51:10
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HH15N200J500CT是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电压场景下的开关和功率控制应用。该型号属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于工业电源、逆变器、电机驱动和其他需要高效功率转换的场合。
HH15N200J500CT采用先进的半导体制造工艺，具有较低的导通电阻和良好的开关性能，能够有效降低功耗并提升系统的整体效率。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：15A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
输入电容：1200pF
总功耗：200W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力：支持高达200V的工作电压，确保在高压环境中的稳定运行。
2. 低导通电阻：0.18Ω的导通电阻可显著降低传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能：较小的栅极电荷和输入电容使得器件能够快速完成开关动作，减少开关损耗。
4. 宽温范围：能够在-55℃至+150℃的温度范围内正常工作，适应多种恶劣环境。
5. 可靠性高：通过严格的可靠性测试，确保长时间使用的稳定性。
6. 小封装设计：便于集成到紧凑型电路中，节省PCB空间。
1. 工业电源：用于开关电源和DC-DC转换器中的功率开关。
2. 逆变器：作为主功率级开关元件，用于光伏逆变器和UPS系统。
3. 电机驱动：实现高效的电机控制和调速功能。
4. 负载切换：用于负载切换和保护电路，确保设备的安全运行。
5. 开关稳压器：适用于各类开关稳压器设计，提供稳定的输出电压。
6. 其他功率电子应用：如电磁炉、LED驱动器等需要高效率功率转换的场合。
IRFZ44N
STP15NF06
FDP15N20
