工作频率：2 GHz - 4 GHz
　　输出功率：典型值 135 W（连续波）
　　增益：12 dB @ 3.5 GHz
　　效率：超过 65%
　　漏极电压：最大 50 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：螺栓式法兰封装
　　输入/输出阻抗：50 Ω 标准
　　热阻：典型值 0.35°C/W

ATF-64135-TR1G 的核心优势在于其 GaN HEMT 技术所带来的高功率密度和高效率。该晶体管能够在 2 GHz 至 4 GHz 的广泛频率范围内提供高达 135 W 的输出功率，适用于多种射频放大应用。其高增益特性（12 dB @ 3.5 GHz）降低了对前级放大器的要求，提高了系统设计的灵活性。
　　此外，该器件的高效率表现（超过 65%）有助于减少热量产生，降低冷却需求，从而提升整体系统能效并延长设备使用寿命。其漏极电压支持高达 50 V，进一步增强了其在高功率应用场景中的稳定性和耐用性。
　　ATF-64135-TR1G 采用螺栓式法兰封装，具有优异的热管理能力，热阻典型值为 0.35°C/W，可有效将热量传导至散热器或底盘，确保长期可靠运行。这种封装形式也便于安装和维护，适合各种工业和军事应用。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种严苛环境条件，确保在极端温度下依然保持稳定性能。

ATF-64135-TR1G 主要应用于无线通信基站（如 4G 和 5G 基础设施）、雷达和电子战系统、工业射频加热设备、医疗射频治疗设备以及测试与测量仪器等高功率射频领域。其宽频率范围和高功率输出使其成为多频段通信系统和宽带放大器的理想选择。由于其高可靠性和热稳定性，也常用于航空航天和国防等对性能要求极高的场景。此外，该晶体管还适用于射频能量应用，例如工业加热和等离子体生成等领域。

CGH40120F, NPT1007, ATF-64133-TR1G