时间：2025/9/2 20:56:25
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HY27US08121M-TPCB 是由Hynix（现为SK hynix）生产的一款NAND闪存芯片。这款芯片主要设计用于需要大容量存储和较高数据读写速度的应用场景，例如嵌入式系统、存储卡、固态硬盘（SSD）以及消费类电子产品。该型号采用8位I/O接口，支持常见的NAND闪存命令集，提供较高的存储密度和可靠性。
品牌：Hynix
型号：HY27US08121M-TPCB
类型：NAND闪存
容量：128MB
电压：3.3V
接口：8位并行接口
封装：TSOP
工作温度：工业级（-40°C ~ +85°C）
制造工艺：特定纳米级制程
HY27US08121M-TPCB NAND闪存芯片具备多项关键特性以满足工业和消费类应用的需求。首先，其128MB的存储容量在嵌入式系统和低功耗设备中提供了足够的空间来存储操作系统、固件和用户数据。该芯片采用3.3V电源供电，与大多数嵌入式控制器兼容，简化了电源设计。
其次，8位并行接口允许快速的数据传输，支持高达50MHz的时钟频率，从而提高整体系统性能。此外，HY27US08121M-TPCB具备较强的耐用性，支持多达10万次的擦写周期（P/E Cycle），确保在频繁读写操作下的长期稳定性。
HY27US08121M-TPCB广泛应用于多个领域。在消费电子方面，它常用于数码相机、MP3播放器和便携式游戏设备中作为主存储器。在工业控制领域，该芯片可用于工业自动化设备、数据采集系统和人机界面（HMI）设备，提供可靠的程序和数据存储解决方案。
K9F1208U0B-PCB0, TC58NVG0S3BTA00, MT29F1G08ABBEAH4
