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NCEP015NH40GU 发布时间 时间:2025/8/11 18:24:43 查看 阅读:29

NCEP015NH40GU是一款由NCE(南京半导体)公司生产的高性能N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等高功率场合。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,具有低导通电阻、高效率和优良的热稳定性。NCEP015NH40GU采用TO-252(DPAK)封装,便于散热和安装,适用于中高功率密度设计。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):150A(在Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):≤1.5mΩ(在Vgs=10V时)
  最大功耗(Pd):100W
  工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

NCEP015NH40GU具备多项优异的电气和物理特性,能够满足高性能功率转换系统的需求。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了系统效率,尤其适用于高电流应用场景。其次,该器件的高栅极电荷(Qg)优化了开关速度,使得在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗。
  此外,NCEP015NH40GU具有良好的热稳定性,得益于其先进的沟槽式MOSFET结构和优良的封装散热设计,能够在高负载条件下保持稳定工作温度。该器件的高耐压能力(Vds=40V)和宽栅源电压范围(±20V)也增强了其在不同工作条件下的可靠性和稳定性。
  从封装角度来看,TO-252(DPAK)是一种常用的表面贴装封装形式,具有较好的机械强度和热传导性能,适合用于自动化生产流程。同时,该封装有助于提高PCB布局的灵活性和空间利用率。
  该MOSFET还具备较强的短路耐受能力,适用于需要较高安全冗余的应用场景。其快速恢复的体二极管也提升了在反向电流处理中的表现,适合用于同步整流、电机驱动等场合。

应用

NCEP015NH40GU适用于多种功率电子系统,包括但不限于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关或同步整流器,用于高效DC-DC转换器和AC-DC电源模块。
  2. 电池管理系统(BMS):用于高压电池组的充放电控制与保护。
  3. 电机驱动与H桥电路:适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等高功率驱动系统。
  4. 负载开关与电源管理:用于高电流负载的通断控制,如服务器电源、工业自动化设备等。
  5. 逆变器与UPS系统:用于DC-AC转换电路中,实现高效率、高可靠性的能量转换。
  6. 电动车与储能系统:适用于电动工具、电动自行车、储能逆变器等需要高电流处理能力的场合。

替代型号

SiSS210N40CG, IPP150N40LG, IRF150N40DPBF