容量：8GB
　　内存类型：HBM2E (High Bandwidth Memory Generation 2 Enhanced)
　　数据速率：3.6 Gbps
　　带宽：约460 GB/s（基于配置）
　　电压：1.3V（VDD）
　　接口：专为与GPU或FPGA集成的2.5D/3D封装设计
　　封装形式：多层堆叠封装（PoP）
　　工作温度：0°C 至 +85°C

HMAA8GR7AJR4N-XN 模块具有多项先进的技术特性，使其在高性能计算和图形处理领域表现出色。首先，它采用了HBM2E标准，提供比上一代HBM2更高的带宽和存储密度，单个模块可提供高达8GB的容量和超过460 GB/s的带宽，适用于需要大量数据吞吐的应用，如AI训练、深度学习和高端图形渲染。
　　其次，该模块采用堆叠式封装（PoP）技术，通过硅通孔（TSV）实现多个DRAM芯片的垂直互联，显著减少芯片间的数据传输延迟，并降低功耗。这种结构不仅提高了内存密度，还减少了PCB布局空间，使得系统设计更加紧凑。
　　此外，HMAA8GR7AJR4N-XN 支持多种低功耗模式，包括自刷新和深度掉电模式，适用于需要高效能与低功耗平衡的应用场景。其电源管理机制可根据实际使用情况动态调整功耗，提高能效。
　　该模块还具备高可靠性和热管理能力，可在高温环境下稳定运行，满足工业级和服务器级应用的需求。其封装设计优化了散热性能，有助于维持长期运行的稳定性。

HMAA8GR7AJR4N-XN 广泛应用于需要高带宽内存的高端计算和图形处理系统。例如，该模块常见于高性能GPU（如AMD Radeon Instinct系列、NVIDIA A100等）、AI加速卡、网络交换芯片（如Xilinx FPGA和ASIC）以及高端图形工作站中。在AI训练和推理应用中，HBM2E内存的高带宽特性能够显著提升模型训练速度和推理效率。此外，该模块也适用于高性能计算（HPC）、云计算、边缘计算和数据中心加速器等场景。

HMAA8GR7AJR4N-XN 的替代型号可能包括 SK Hynix 的其他 HBM2E 模块，如 HMAA8GR7AJR4N-XS 或 HMAA8GR7AJR4N-XL，具体取决于容量和带宽需求。此外，三星（Samsung）的 HBMR4-8GB-3.6-T 等 HBM2E 模块也可作为潜在替代品。