时间：2025/6/21 0:41:04
阅读：6
HM75N75K是一种高性能的功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低能量损耗并提高系统效率。
HM75N75K属于N沟道增强型MOSFET，适用于高电压和大电流的工作环境，是许多工业和消费类电子产品中的关键元件。
最大漏源电压：750V
连续漏极电流：75A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：150nC
总功耗：300W
工作温度范围：-55℃至+150℃
HM75N75K的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，其漏源电压高达750V，非常适合高压应用环境。
2. 大电流处理能力，连续漏极电流可达75A，确保在高负载条件下稳定运行。
3. 低导通电阻（0.18Ω），减少导通状态下的功率损耗，从而提升整体效率。
4. 快速开关性能，通过优化的栅极电荷设计，进一步降低开关损耗。
5. 宽温度范围支持，能够在极端环境下正常工作，适应性强。
6. 封装形式坚固耐用，提供良好的散热性能，适合高功率密度应用。
HM75N75K因其出色的电气特性和可靠性，被广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC或DC-DC转换电路中，作为主开关器件。
2. 电机驱动：控制直流无刷电机或其他类型的电机运转。
3. 工业逆变器：为光伏逆变器、UPS系统等提供高效功率转换。
4. 汽车电子：适用于车载充电器、电动助力转向系统等汽车相关应用。
5. 其他高功率电子设备：如焊接机、电磁炉等需要大功率输出的产品。
IRFP460, STP75N75K
