型号：UT30P04
　　极性：P沟道
　　漏源电压(VDS)：-40V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：-30A（@Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-120A
　　导通电阻(RDS(on))：12mΩ（@VGS=-10V）
　　导通电阻(RDS(on))：16mΩ（@VGS=-4.5V）
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容(Ciss)：2800pF（@VDS=20V）
　　输出电容(Coss)：950pF（@VDS=20V）
　　反向传输电容(Crss)：150pF（@VDS=20V）
　　功耗(PD)：125W（@Tc=25℃）
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

UT30P04采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，确保了极低的导通电阻，从而显著降低导通状态下的功率损耗，提高系统能效。其RDS(on)在VGS=-10V时仅为12mΩ，在同类P沟道MOSFET中表现出色，适用于大电流应用场景。该器件在低栅极驱动电压下仍具备良好导通能力，例如在VGS=-4.5V时RDS(on)为16mΩ，使其兼容3.3V或5V逻辑电平控制，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。此外，其高达±20V的栅源电压耐受能力增强了器件在瞬态电压冲击下的可靠性，防止栅极氧化层击穿，延长使用寿命。
　　该器件具备优良的热性能，TO-252封装设计提供了良好的散热路径，结合125W的最大功耗能力，使其能够在较高环境温度下持续工作。其内部寄生二极管（体二极管）具备快速恢复特性，适用于需要反向电流续流的场合，如H桥电机驱动或同步整流拓扑。UT30P04的电容参数经过优化，Ciss为2800pF，Crss仅为150pF，有效降低了米勒效应的影响，提高了高频开关应用中的抗干扰能力和稳定性。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），有助于减少驱动损耗，提升开关速度，适用于高频率PWM控制场景。
　　UT30P04还具备优异的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下安全运行，增强了系统的鲁棒性。其宽泛的工作结温范围（-55℃至+150℃）使其适用于严苛的工业、汽车及户外环境。器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于现代电子产品的环保要求。综合来看，UT30P04在性能、可靠性和成本之间取得了良好平衡，是中高功率P沟道MOSFET应用中的理想选择。

UT30P04广泛应用于各类电源管理系统中，特别是在需要高端开关控制的场合。其典型应用包括电池供电设备中的电池反接保护电路和充电管理模块，利用其P沟道特性可实现简单高效的充放电控制。在DC-DC降压转换器中，常被用作高端开关管，尤其适用于非同步Buck电路结构，配合肖特基二极管完成能量转换。此外，该器件也适用于负载开关电路，用于控制电源对特定模块的供电通断，实现节能和热插拔功能。
　　在电机驱动领域，UT30P04可用于H桥或半桥拓扑中的高端驱动部分，控制电机正反转或启停操作。由于其具备较高的峰值电流承受能力（IDM=-120A），能够应对电机启动时的浪涌电流，保障系统稳定运行。在电源冗余设计或多电源切换系统中，该器件可用于自动电源选择电路，实现主备电源无缝切换。
　　此外，UT30P04也适用于工业控制设备、消费类电子产品、便携式仪器、LED驱动电源及UPS不间断电源等场景。其表面贴装封装形式便于自动化生产，提升组装效率，同时具备良好的散热性能，适合紧凑型高密度PCB布局。对于需要简化驱动电路、降低成本并提升可靠性的应用，UT30P04是一个极具竞争力的解决方案。

APM30P04P
　　Si3443DV
　　AOZ8856PIL