容量：256K x 16
　　电压：5V
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　访问时间：55ns / 70ns（根据速度等级）
　　数据宽度：16位
　　刷新方式：自动刷新
　　封装尺寸：54引脚TSOP

HM6618B2是一款静态随机存取存储器（SRAM）芯片，尽管其命名中带有“DRAM”的特征，但它实际上属于SRAM类别，具备无需刷新电路即可保持数据稳定的特点。该芯片的高速访问时间（最快可达55ns）使其适用于需要快速数据处理的应用场景，例如高速缓存、数据缓冲区等。HM6618B2的工作电压为5V，符合大多数工业标准，确保了其在各种电子系统中的兼容性。此外，该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）技术，体积小巧，适合高密度电路板设计。
　　HM6618B2的存储容量为256K x 16位，总容量为4MB（兆位），适用于需要较高容量但不需要DRAM复杂刷新机制的系统。其工作温度范围为0°C至70°C，表明其适用于一般工业环境下的设备。封装为54引脚TSOP，便于表面贴装，提高生产效率和可靠性。此外，该芯片支持自动刷新功能，减少了外部控制器的负担，提高了系统设计的灵活性和稳定性。

HM6618B2广泛应用于需要高速数据存储和稳定性能的电子设备中。常见的应用包括工业控制设备、自动化系统、网络路由器和交换机、嵌入式系统、消费类电子产品（如打印机、扫描仪等）以及各种通信设备。由于其高速访问时间和低功耗特性，该芯片也常用于图像处理、数据缓冲和高速缓存应用中。此外，HM6618B2还适用于需要在高温环境下稳定运行的工业设备，确保数据的可靠性和系统的连续性。

CY7C1041B-55ZSXC
　　IS61LV25616-55BLL