BLM18AG121SN1D 是由 Murata(村田)生产的一款片式磁珠,主要用于抑制电路中的高频噪声。该器件采用 SMD 封装形式,适合在需要高效滤波和小型化设计的应用中使用。其出色的高频特性使其成为电子设备中信号完整性优化的理想选择。
BLM 系列磁珠广泛应用于消费类电子产品、通信设备以及汽车电子等领域,能够有效减少电磁干扰 (EMI) 并提高系统的稳定性。
型号:BLM18AG121SN1D
直流电阻(Rdc):0.45 Ω
额定电流( rated current ):600 mA
阻抗(Z):120 Ω(@100 MHz)
封装:1206
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
电感值:未提供
尺寸:3.2 mm x 1.6 mm
BLM18AG121SN1D 具备卓越的高频噪声抑制能力,适用于多种复杂电磁环境下的应用。其主要特点包括:
1. 高阻抗性能,在 100 MHz 下达到 120 Ω 的阻抗值,可有效抑制高频噪声。
2. 较低的直流电阻(0.45 Ω),从而减少了功率损耗并提高了效率。
3. 耐高温性能优异,支持最高工作温度为 +125°C,适用于严苛的工作条件。
4. 紧凑型设计,采用标准的 1206 封装,有助于实现更小体积的 PCB 布局。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
BLM18AG121SN1D 可用于各种需要消除高频噪声的场景,典型应用领域如下:
1. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用于保护敏感电路免受 EMI 干扰。
2. 通信设备:基站、路由器、交换机等网络设备中的电源和信号线路滤波。
3. 汽车电子:车载信息娱乐系统、导航模块及传感器接口的噪声抑制。
4. 工业控制:工业自动化设备中的信号调理与保护电路。
5. 医疗设备:如监护仪、超声设备中的电源净化与信号完整性优化。
BLM18AG101SN1D
BLM18AG151SN1D
BLM18AG181SN1D
BLM18AG221SN1D