HM62W16256BLTT7 时间：2025/9/7 1:43:52 阅读：7

HM62W16256BLTT7 是由 Hitachi（现为 Renesas）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有低功耗和高速访问时间的特点，适用于需要高性能存储解决方案的工业和通信设备。该SRAM的容量为256K位（16位宽），即16K x 16位的组织结构，适用于需要快速数据存取的应用场景。

参数

容量：256Kbit（16K x 16）
　　电压范围：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　输入/输出电平：CMOS兼容
　　封装引脚数：54
　　最大功耗：180mA（典型值）
　　数据保持电流：10mA（典型值）

特性

HM62W16256BLTT7 的主要特性之一是其高速访问能力，访问时间仅为55纳秒，使得该芯片适用于对响应时间要求较高的系统设计。该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够兼容多种电源管理方案，适用于不同的硬件平台。其低功耗特性在待机模式下尤为显著，数据保持电流仅为10mA左右，这有助于延长电池供电设备的使用时间。
　　此外，该芯片采用CMOS技术，具有抗干扰能力强、稳定性高等优点，适用于工业环境中的恶劣条件。其TSOP封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和表面贴装，适用于现代电子设备的高密度布局需求。该芯片的54引脚设计提供了完整的地址和数据总线接口，支持16位并行数据传输，提高了数据吞吐能力。

应用

该芯片广泛应用于需要快速数据存储和读取的场景，如网络设备、工业控制器、数据采集系统、测试仪器、嵌入式处理器系统以及便携式电子产品等。其高速度和低功耗特性使其在需要频繁访问存储器的系统中表现出色，尤其适合用于缓存、临时数据存储、图形缓冲等任务。由于其宽电压范围和良好的温度适应性，它也常用于远程通信设备、车载电子系统以及安防监控设备中。