时间：2025/6/18 12:25:17
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SI3483CDV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET 第三代技术，旨在提供高效率和低导通电阻的性能表现。其封装形式为 ThinPAK 8x8（T1），适合于空间受限的应用场景。这款 MOSFET 主要用于开关电源、DC/DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用领域。
得益于其低导通电阻和快速开关速度，SI3483CDV-T1-GE3 可显著降低传导损耗并提高系统效率。此外，其支持高频操作的能力使其成为众多高效能设计的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：24A
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：59nC（典型值）
输入电容：1390pF（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI3483CDV-T1-GE3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗。
2. 高效的开关性能，适用于高频应用。
3. 高雪崩能量能力，提高了器件的耐用性和可靠性。
4. 采用 ThinPAK 8x8 封装，节省了 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，并且是无卤素产品。
6. 提供出色的热性能，确保在高功率密度应用中的稳定性。
7. 支持宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的使用需求。
8. 快速开关速度，降低了开关损耗。
这些特性使 SI3483CDV-T1-GE3 成为众多高效率电力电子应用的首选解决方案。
SI3483CDV-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 笔记本电脑和台式机的负载开关。
3. 工业和消费类电机驱动电路。
4. 多媒体设备中的电源管理模块。
5. 电池管理系统 (BMS) 中的保护和切换功能。
6. 各种适配器和充电器的设计。
7. 高频逆变器和 UPS 系统。
通过结合低 Rds(on) 和高效率开关性能，这款 MOSFET 在上述应用中能够提供卓越的性能表现。
SI3484DD, IRF7739TRPBF
