HM628512LTT7 时间：2025/9/7 8:58:09 阅读：6

HM628512LTT7 是一款由 Hitachi（现为 Renesas）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为512Kbit，采用低功耗CMOS技术制造。该芯片采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装，适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统和工业控制应用。其工作温度范围宽，适合工业级应用环境。

参数

容量：512Kbit
　　组织结构：64K x 8
　　电源电压：2.3V ~ 3.6V
　　访问时间（最大）：10 ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　读取电流（最大）：180 mA
　　待机电流（最大）：10 mA

特性

HM628512LTT7 是一款高性能SRAM芯片，采用了先进的CMOS工艺，具有低功耗和高速访问的双重优势。该芯片支持宽电压范围供电（2.3V至3.6V），使其能够适应多种电源设计方案，适用于电池供电和工业设备。其10 ns的访问时间确保了高速数据读写能力，满足实时系统的需求。
　　此外，该芯片的待机电流极低，最大仅为10 mA，有助于延长设备的续航时间。其TSOP封装结构紧凑，占用PCB空间小，适合高密度电路设计。该芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性，能够在恶劣的工业环境下可靠运行，例如工业控制、测量设备和通信模块等。
　　在可靠性方面，HM628512LTT7 设计有自动省电模式，当芯片未被选中时自动进入低功耗状态。同时，其数据保持电压低于工作电压，即使在低电压状态下也能保持数据完整性。这些特性使得该芯片在需要频繁读写和高稳定性的应用中表现出色。

应用

HM628512LTT7 广泛应用于需要高速存储和低功耗设计的工业和通信设备中。常见的应用包括嵌入式控制系统、数据采集模块、工业自动化设备、智能仪表、网络路由器和交换机等。此外，由于其TSOP封装体积小巧，也适合用于便携式设备和手持终端，如医疗设备、测试仪器和车载电子系统。该芯片的宽温特性和高稳定性也使其成为恶劣环境应用的理想选择。