HM628512CLTT-5是一款由Hitachi(现为Renesas)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM),容量为512K位(64K x 8)。该SRAM采用CMOS技术制造,具备高速访问时间、低功耗和宽工作温度范围等优点,适用于需要高性能存储器的工业和通信设备。
容量:512K位(64K x 8)
组织方式:x8
电源电压:3.3V或5V可选
访问时间(tRC):5ns(最大)
工作温度范围:-40°C至+85°C
封装形式:TSOP(Thin Small Outline Package)
引脚数:54
数据保持电压:最低2V
待机电流:最大10mA(典型值)
工作电流:最大200mA(典型值)
HM628512CLTT-5是一款高性能CMOS SRAM,具备高速访问能力,适用于需要快速数据存取的应用。该器件采用低功耗设计,在待机模式下消耗的电流极低,有助于延长设备的电池寿命。其支持3.3V或5V电源供电,提供较高的电压兼容性,适用于多种系统设计。此外,该SRAM的工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣工业环境中稳定运行。HM628512CLTT-5采用TSOP封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用。其高速度和低功耗的结合,使其成为工业控制、网络设备、通信模块以及嵌入式系统中的理想选择。
HM628512CLTT-5广泛应用于需要高速、低功耗和宽温范围的系统中,如工业自动化控制设备、路由器、交换机、通信基站、嵌入式系统和数据采集设备。此外,它也适用于需要临时数据存储的场景,如缓存存储器和高速缓冲存储器。
CY62148EVLL-45ZE、IS61LV25616A-10BLI、IDT71V416S12PHG、AS7C34098A-10TC、HM628512BLTT-5