时间：2025/9/7 5:27:08
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HM628512CLTT-5是一款由Hitachi（现为Renesas）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM），容量为512K位（64K x 8）。该SRAM采用CMOS技术制造，具备高速访问时间、低功耗和宽工作温度范围等优点，适用于需要高性能存储器的工业和通信设备。
容量：512K位（64K x 8）
组织方式：x8
电源电压：3.3V或5V可选
访问时间（tRC）：5ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装形式：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数：54
数据保持电压：最低2V
待机电流：最大10mA（典型值）
工作电流：最大200mA（典型值）
HM628512CLTT-5是一款高性能CMOS SRAM，具备高速访问能力，适用于需要快速数据存取的应用。该器件采用低功耗设计，在待机模式下消耗的电流极低，有助于延长设备的电池寿命。其支持3.3V或5V电源供电，提供较高的电压兼容性，适用于多种系统设计。此外，该SRAM的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在恶劣工业环境中稳定运行。HM628512CLTT-5采用TSOP封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。其高速度和低功耗的结合，使其成为工业控制、网络设备、通信模块以及嵌入式系统中的理想选择。
HM628512CLTT-5广泛应用于需要高速、低功耗和宽温范围的系统中，如工业自动化控制设备、路由器、交换机、通信基站、嵌入式系统和数据采集设备。此外，它也适用于需要临时数据存储的场景，如缓存存储器和高速缓冲存储器。
CY62148EVLL-45ZE、IS61LV25616A-10BLI、IDT71V416S12PHG、AS7C34098A-10TC、HM628512BLTT-5
