HY27UV08CG2A-TPCB是一款由Hynix(现为SK hynix)生产的NAND闪存芯片,采用8位并行接口设计,适用于需要大容量存储和高性能数据读写的应用场景。该芯片具有高可靠性和低功耗特性,广泛用于嵌入式系统、消费类电子产品以及工业控制设备中。该型号的封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),便于在各种电路板上安装和使用。
容量:512MB
电压:2.7V - 3.6V
接口:8位并行NAND接口
读取速度:最高50MB/s
写入速度:最高20MB/s
擦除块大小:16KB
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP
HY27UV08CG2A-TPCB具备多种高性能特性,首先是其512MB的大容量存储能力,适合存储大量数据,例如固件、图像或视频文件。其次,该芯片支持宽电压范围(2.7V至3.6V),提高了其在不同电源环境下的适应性。此外,其8位并行NAND接口确保了快速的数据传输速率,最高读取速度可达50MB/s,写入速度则达到20MB/s。在耐久性方面,该芯片支持高达10万次的擦写周期,延长了使用寿命。其16KB的擦除块大小优化了擦写效率,减少了数据碎片问题。最后,HY27UV08CG2A-TPCB的工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于严苛的工业环境。
HY27UV08CG2A-TPCB广泛应用于多种嵌入式系统和电子设备中,例如智能手机、数码相机、便携式媒体播放器、车载导航系统和工业控制设备。其高容量和低功耗特性使其非常适合移动设备使用,而其耐用性和宽温范围也使其适用于工业自动化和恶劣环境下的数据存储任务。此外,该芯片也常用于网络设备和存储扩展模块中,提供可靠的非易失性存储解决方案。
K9F5608U0C-PCB0, TC58NVG2S0HFT00, MT29F4G08ABADAWP