SN10KHT5543是一种高性能的高压功率MOSFET,主要用于需要高效率和低功耗的应用场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有出色的开关特性和较低的导通电阻。它适用于多种电力电子应用,包括但不限于开关电源、电机驱动、逆变器以及DC-DC转换器等。SN10KHT5543能够承受较高的工作电压,并提供稳定的电流输出,同时确保高效能和长寿命的产品表现。
该芯片以其卓越的热性能和可靠性著称,适合在恶劣环境下运行,例如高温或高频切换条件下的应用。
类型:MOSFET
最大漏源电压Vds:1200V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:16A
导通电阻Rds(on):0.18Ω
总功耗Ptot:220W
结温范围Tj:-55°C to +175°C
封装形式:TO-247
SN10KHT5543具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:能够支持高达1200V的工作电压,非常适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻:其导通电阻仅为0.18Ω,在同级别产品中表现优异,有助于降低传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关速度:优化后的设计使其具备更快的开关响应时间,从而减少开关损耗。
4. 强大的热性能:得益于其高效的散热结构设计,该芯片能够在较高温度下稳定运行,延长使用寿命。
5. 高可靠性:经过严格的测试与验证,保证在各种复杂工况下仍保持良好性能。
6. 支持高频操作:适合用于高频开关电路,可显著提升系统效能。
SN10KHT5543广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS):如适配器、充电器等设备中的功率转换部分。
2. 电机驱动:用于工业自动化控制中的交流感应电机驱动器或无刷直流电机控制器。
3. 逆变器:为太阳能发电系统或其他能量存储装置提供高效逆变功能。
4. DC-DC转换器:用于汽车电子、通信基站及消费类电子产品中的电压调节模块。
5. 其他高压大电流应用场景:例如不间断电源(UPS)系统、焊机、电磁炉等。
IRFP460, STP12NM60, FQR16N120C