类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：48A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为25mΩ
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　功率耗散（PD）：300W

IXTP48N20TM具有多项优异的电气和热性能。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为25mΩ，有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET的最大漏极电流为48A，能够在高负载条件下稳定工作。漏源电压（VDS）高达200V，使其适用于多种高压应用。此外，最大栅源电压为±20V，提供了良好的栅极控制能力。
　　在热性能方面，IXTP48N20TM采用TO-247封装，具有良好的散热能力，能够在高功率环境下保持稳定运行。该器件的功率耗散为300W，支持长时间高负载操作。同时，其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应各种严苛的工作环境。
　　IXTP48N20TM还具备高开关速度，适合高频应用，减少开关损耗并提高整体系统性能。其设计确保了在高温下仍能保持稳定的电气特性，从而延长器件寿命并提高可靠性。

IXTP48N20TM广泛应用于多个高功率电子系统中。首先，它常用于电源转换器，如DC-DC转换器和AC-DC电源模块，提供高效能的功率转换。其次，该MOSFET适用于电机驱动系统，包括直流电机和无刷直流电机控制，能够承受较大的电流和电压波动。
　　此外，IXTP48N20TM在太阳能逆变器中也有广泛应用，用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供家庭或电网使用。由于其高可靠性和耐高温特性，它也常用于工业自动化设备和不间断电源（UPS）系统中，确保设备在高负载条件下稳定运行。
　　在电动汽车和充电设备领域，IXTP48N20TM可用于车载充电器和电池管理系统，提供高效的功率管理解决方案。同时，该器件也适用于高频感应加热设备和LED照明驱动电路。

IXTP48N20N、IXFH48N20T、IRFP4868、STP48N20H