时间：2025/9/6 17:11:31
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HM628128BLT-7SL是一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由Hitachi（现为Renesas）生产。该芯片的存储容量为128Kbit（16K x 8），采用高速CMOS工艺制造，适用于需要快速数据访问的应用场景。该器件封装为TSOP（薄型小外形封装），适合便携式设备和空间受限的应用。HM628128BLT-7SL的工作电压通常为2.5V至3.3V，具有低功耗和高可靠性，适用于各种工业和通信设备。
容量：128Kbit（16K x 8）
组织结构：x8
电源电压：2.5V 至 3.3V
访问时间：最大70ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
读取电流（最大）：160mA
待机电流（最大）：10mA
封装尺寸：8.0mm x 14.0mm x 1.0mm
HM628128BLT-7SL SRAM芯片具有多项优异特性，适用于多种高性能应用。首先，其高速访问时间为70ns，使得数据读写操作极为迅速，适用于需要快速响应的系统。该芯片支持异步操作，无需时钟同步，简化了电路设计，提高了系统的灵活性。
其次，该芯片支持低电压操作，可在2.5V至3.3V范围内工作，使其兼容多种电源管理系统，并有助于降低整体功耗。在待机模式下，芯片的电流消耗极低，通常不超过10mA，非常适合对功耗敏感的便携式设备。
此外，HM628128BLT-7SL采用TSOP封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于高密度PCB布局。该封装形式不仅减小了占用空间，还提高了抗干扰能力，增强了系统的可靠性。芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，确保其在工业环境下的稳定运行。
最后，该芯片具有良好的抗静电能力和高可靠性，符合工业级标准，广泛应用于通信设备、工业控制、嵌入式系统以及消费类电子产品。
HM628128BLT-7SL SRAM芯片主要应用于需要高速存储和低功耗设计的系统中。典型应用包括嵌入式系统的缓存存储器、工业控制设备的数据缓冲、通信设备中的临时存储、医疗设备的数据处理单元以及消费类电子产品中的高速数据存储模块。该芯片的高速访问能力和低功耗特性使其成为电池供电设备和便携式电子产品的理想选择。
IS62WV1288ALL-70BLLI、CY62148EAV25-70B、AS6C1008-70SIN、ISSI IS62LV1288A-70TLI、Renesas IDT62V1288AS-70SLI
