GA1206A270GXLBC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低功耗。
这款MOSFET为N沟道增强型器件,支持较高的连续漏极电流,并且具备出色的热性能和可靠性,适合对效率和稳定性要求较高的应用环境。
最大漏源电压:120V
最大连续漏极电流:6A
最大栅源电压:±20V
导通电阻(典型值):270mΩ
栅极电荷:25nC
开关时间:ton=12ns, toff=28ns
结温范围:-55℃至+175℃
1. 超低导通电阻设计,减少传导损耗。
2. 高速开关性能,适用于高频应用场景。
3. 内置反向恢复二极管,有效抑制寄生效应。
4. 优化的热阻设计,提升散热能力。
5. 出色的雪崩能力和鲁棒性,确保在极端条件下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,绿色环保。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 各类DC-DC转换器及电压调节模块。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理部分。
6. LED驱动器和其他需要高效功率转换的应用场景。
IRFZ44N
FDP17N10
STP10NK60Z