时间：2025/9/7 13:23:26
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HM6264BLFP10LT是一款由Hitachi（现为Renesas）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款芯片拥有64K位的存储容量，采用8K x 8的组织方式，即8192个地址，每个地址存储8位数据。HM6264BLFP10LT封装为52引脚TSOP（薄型小外形封装），适用于需要低功耗和高性能的应用场景。该芯片广泛用于工业控制、通信设备、嵌入式系统和各种需要高速数据存取的电子设备中。
容量：64K位（8K x 8）
电压范围：4.5V至5.5V
访问时间：10ns
封装类型：52-TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
功耗（典型值）：100mA（工作模式），10μA（待机模式）
输入/输出电平：TTL兼容
最大时钟频率：无（SRAM为异步存储器）
HM6264BLFP10LT具备高速访问能力，访问时间仅为10ns，确保了快速的数据读写性能。该芯片采用CMOS技术制造，功耗较低，适合在需要长时间运行且对能耗敏感的应用中使用。在待机模式下，芯片的电流消耗可降至极低水平，有助于延长电池供电设备的续航时间。
此外，HM6264BLFP10LT的输入和输出电平与TTL兼容，使其能够轻松集成到各种数字系统中。其52-TSOP封装形式不仅节省空间，还具有良好的热稳定性和机械强度，适用于高密度PCB布局设计。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，适用于各种严苛环境下的应用，如工厂自动化、车载电子系统和户外通信设备。
HM6264BLFP10LT适用于多种需要高速、低功耗存储的应用场景。常见应用包括工业控制设备、自动化测试设备、数据采集系统、通信模块、嵌入式系统以及医疗电子设备。由于其高速存取和低功耗特性，它也常用于网络设备、路由器和交换机中的缓冲存储器。此外，在需要可靠存储和快速响应的实时系统中，例如智能卡读写器、POS终端和安防监控设备，该芯片也能发挥出色性能。
IS62LV6416ALBTA10A、CY62167EVLL10Z、IDT71V64163AS10PI、AS6C6264A-10ASNTR、MCM6264B10D
