时间：2025/9/6 23:43:58
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HM6264BCP-10L是一款由HITACHI（现为Renesas）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，其容量为8K x 8位，即总共64千位。该芯片广泛应用于需要高速数据存储和访问的场合，例如工业控制、通信设备和嵌入式系统。HM6264BCP-10L采用CMOS工艺制造，具有低功耗、高速访问时间和高可靠性等特点。
容量：64Kbit（8K x 8位）
电源电压：5V
访问时间：10ns（最大）
工作温度范围：0°C至70°C
封装类型：28引脚塑料DIP（Dual In-line Package）
输入/输出电压电平：TTL兼容
最大工作频率：100MHz（对应访问时间10ns）
HM6264BCP-10L作为高速SRAM芯片，其主要特性包括极短的访问时间、宽泛的工作温度范围以及可靠的CMOS结构。该芯片的10ns访问时间使其适用于高性能计算和数据缓冲应用。CMOS技术不仅降低了功耗，还增强了抗干扰能力，使其在复杂环境中仍能稳定运行。此外，HM6264BCP-10L的TTL兼容输入/输出电平简化了与其他数字电路的连接，提高了系统设计的灵活性。
这款SRAM芯片还具有非易失性数据保持能力，只要电源保持稳定，存储的数据就不会丢失。这一特性使其在需要持续数据存储而无需频繁刷新的应用中非常有用，例如缓存存储器或关键数据暂存器。此外，HM6264BCP-10L的封装形式为28引脚DIP，便于在原型设计和小规模生产中使用，同时也支持手工焊接和自动装配。
HM6264BCP-10L主要用于需要高速数据存储的场合，如嵌入式系统的缓存、工业控制设备的数据缓冲、通信模块的临时存储器以及各种需要快速响应的计算设备。由于其高速和低功耗的特点，它也常用于需要实时数据处理的场合。
HM6264BLP-10L, CY6264BV-10L, IDT7164SA10L
