容量：2GB
　　接口类型：x8 I/O NAND接口
　　封装类型：52引脚TSOP（Thin Small Outline Package）
　　电压供应：通常为2.7V至3.6V
　　读取速度：最大可达50MB/s
　　写入速度：最大可达30MB/s
　　擦除速度：最大可达2ms
　　页面大小：2KB
　　块大小：128KB
　　擦除周期：支持10万次擦写周期
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

H9DA2GH1GHMMR-46M是一款基于NAND闪存技术的存储芯片，具有高密度、高速度和低功耗等特性。其2GB的存储容量适用于中高端嵌入式设备和移动设备，能够满足操作系统、应用程序和用户数据的存储需求。该芯片采用x8 I/O接口，提供较宽的数据总线，从而提升数据传输效率。H9DA2GH1GHMMR-46M采用52引脚TSOP封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合在高密度PCB布局中使用。
　　这款芯片的工作电压范围为2.7V至3.6V，具有良好的电压兼容性，适用于多种电源管理方案。其读取速度可达50MB/s，写入速度可达30MB/s，能够满足大多数移动设备和嵌入式系统的性能需求。页面大小为2KB，块大小为128KB，支持快速读写和擦除操作，擦除速度仅需约2ms，提高了整体存储性能。
　　此外，H9DA2GH1GHMMR-46M支持高达10万次的擦写周期，具备良好的耐用性，适合长期运行的设备使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，可在各种工业环境和消费类电子产品中稳定运行。

H9DA2GH1GHMMR-46M广泛应用于需要中高容量非易失性存储的设备，如智能手机、平板电脑、嵌入式系统、工业控制设备、车载导航系统、数字电视和机顶盒等。在智能手机和移动设备中，它用于存储操作系统、应用程序和用户数据。在工业控制和车载系统中，该芯片用于存储固件、日志数据和配置信息。此外，该芯片也适用于需要可靠数据存储的小型SSD模块和USB存储设备。

H9DA2GH1GHMMR-46M的替代型号包括H9DA2GH1GHMMR-BCR、H9DA2GH1GHMMR-ACR等不同速度和封装版本。此外，三星（Samsung）的K9F2G08U0A和美光（Micron）的MT29F2G08AAA等型号也可作为替代选择，但需根据具体应用需求进行兼容性验证。