时间：2025/8/28 17:32:22
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IRF5851PBF是一款由Infineon Technologies（英飞凌）生产的N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET具有高功率密度和优异的导通与开关性能，适用于多种电源管理和功率转换应用。IRF5851PBF采用先进的沟槽技术，使其在低RDS(on)和高效率方面表现出色，同时具备良好的热稳定性。
类型：N沟道
最大漏极电压(Vdss)：60V
最大源极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：120A（在Tc=25°C时）
导通电阻(RDS(on))：最大值为3.8mΩ（在Vgs=10V时）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IRF5851PBF的主要特性包括低导通电阻、高电流处理能力和优异的热性能。其低RDS(on)特性有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件在高频开关应用中表现出色，适用于DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。此外，IRF5851PBF具备高雪崩能量耐受能力，能够在极端条件下保持稳定运行。该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高功率应用中的可靠性。
IRF5851PBF广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器和工业自动化设备。其高电流和低导通电阻特性使其在高性能电源系统中表现出色，例如服务器电源、电信设备和汽车电子系统。
IRF5851PBF的替代型号包括IRF5850PBF和IRF5852PBF。
