HM58C66T25 时间：2025/9/7 3:49:05 阅读：5

HM58C66T25 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为 256K x 16 位（即 512 KB）。该芯片工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，适用于低功耗、高性能的嵌入式系统和工业控制设备。HM58C66T25 采用 54 引脚 TSOP 封装，适用于便携式设备和高密度 PCB 设计。

参数

容量：256K x 16 位
　　电压范围：2.3V - 3.6V
　　访问时间：25 ns
　　封装类型：54 引脚 TSOP
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装尺寸：约 18 mm x 12 mm
　　工作电流（最大）：100 mA（典型）
　　待机电流：10 mA（最大）

特性

HM58C66T25 SRAM 芯片具有高速存取能力，访问时间为 25 纳秒，适合实时系统应用。其低电压操作范围（2.3V 至 3.6V）使其适用于多种电源环境，同时具备低功耗特性，待机电流最大仅为 10 mA，非常适合电池供电设备。该芯片采用 CMOS 技术制造，具有高抗噪性和稳定性。其 54 引脚 TSOP 封装设计有助于减小 PCB 面积，适合高密度布局。此外，该器件符合 RoHS 标准，支持环保设计。工业温度范围（-40°C 至 +85°C）确保其在严苛环境下的稳定运行。
　　在性能方面，HM58C66T25 支持异步读写操作，控制信号包括片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），便于与多种处理器和控制器接口连接。其存储单元采用双晶体管双交叉耦合反相器结构，确保数据保持稳定，无需刷新操作，提高系统可靠性。该芯片广泛应用于通信设备、工业控制、医疗仪器、手持设备等领域。

应用

HM58C66T25 主要应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统中，如工业自动化控制设备、网络通信设备、数据采集系统、手持终端设备和智能仪器仪表。其 256K x 16 位的大容量和高速访问特性，使其适用于缓存存储、临时数据存储和高速数据缓冲等场景。此外，该芯片也适用于汽车电子系统、测试设备和消费类电子产品中的高性能 SRAM 需求。