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HM5165805FTT-6 发布时间 时间:2025/9/7 3:04:30 查看 阅读:5

HM5165805FTT-6是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于高速DRAM存储器,适用于需要高性能和高密度存储的应用场景。HM5165805FTT-6采用了先进的CMOS工艺制造,具有较低的功耗和较高的可靠性,适合用于工业控制、通信设备、消费电子产品等领域。

参数

容量:16MB
  组织结构:1M x16
  电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  访问时间:5.4ns
  最大时钟频率:166MHz
  数据宽度:16位
  封装尺寸:54引脚

特性

HM5165805FTT-6具备高速存取能力,访问时间仅为5.4ns,支持高达166MHz的工作频率,能够满足对数据传输速度有较高要求的应用需求。该芯片采用低功耗CMOS技术,在保证性能的同时降低了整体功耗,提高了能效比。
  此外,HM5165805FTT-6的封装形式为54引脚TSOP,尺寸紧凑,便于在PCB上布局,并具有良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于各种严苛环境下的应用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,能够适应广泛的工作环境。
  该芯片的存储结构为1M x16,提供16MB的存储容量,适合用作缓存或主存。同时,其16位的数据宽度可以提高数据吞吐效率,适用于需要快速读写的应用场景。

应用

HM5165805FTT-6广泛应用于工业自动化设备、嵌入式系统、通信基站、网络设备、视频采集与处理系统等对存储性能要求较高的设备中。由于其高速、低功耗和宽温特性,也常用于便携式电子产品和车载电子系统中作为主存或缓冲存储器。

替代型号

IS42S16400F-6T、CY7C1380C-5AXI、MT48LC16M16A2B4-6A

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