容量：1Mbit
　　组织结构：256K x 4
　　访问时间：440ns
　　封装类型：SOJ
　　引脚数：28
　　工作电压：5V
　　温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据保持电压：2V
　　最大工作电流：100mA
　　待机电流：10mA

HM514400CZ10 是一款静态随机存取存储器（SRAM）兼容的DRAM芯片，其内部集成了刷新电路，减少了外部控制器的负担。该芯片采用CMOS制造工艺，具有较低的功耗，尤其在待机状态下可显著节省电力消耗。由于其28引脚的SOJ封装形式，使得该芯片在PCB布局中具有较好的空间适应性，并且便于焊接和维护。此外，HM514400CZ10 具有较高的可靠性和稳定性，适合用于工业环境下的长期运行设备。
　　该芯片支持异步操作模式，允许与多种类型的处理器和控制器进行无缝连接。其440ns的访问速度适合中等性能要求的系统。在数据保持模式下，芯片可以通过降低电压维持数据完整性，从而适用于需要低功耗待机功能的应用。此外，HM514400CZ10 还具备较强的抗干扰能力，能够在电磁干扰较强的工业环境中保持稳定运行。

HM514400CZ10 主要应用于工业控制系统、嵌入式设备、通信模块、测量仪器以及老旧计算机系统中的数据缓存或临时存储。由于其低功耗特性和较高的稳定性，该芯片也常用于需要长时间运行且对功耗有一定要求的便携式设备。例如，在数据采集系统中，HM514400CZ10 可以作为临时数据存储单元，用于缓存传感器采集的数据。在通信设备中，它可以用于缓冲传输过程中的数据流，提高系统响应速度。此外，在一些老式打印机、扫描仪等外围设备中也能见到该芯片的身影。

HM514400CZ10 可以被以下型号替代：HM514400CZ8（访问时间更短，为85ns）、CY7C199-SC（32K x 8 SRAM，适用于低容量系统）、IS61C256AH-10T（高速SRAM替代方案，256K x 8）