时间：2025/8/6 12:49:52
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IXFN170N10是一款由IXYS公司制造的高功率N沟道MOSFET，适用于各种高电流、高频率的开关应用。这款MOSFET采用TO-247封装，具有较低的导通电阻和高效的开关性能，非常适合用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及逆变器等高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：170A
导通电阻(Rds(on))：5.8mΩ（典型值）
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C至175°C
IXFN170N10 MOSFET采用了先进的平面技术，确保了在高电流条件下的稳定性和可靠性。其低导通电阻减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件具有快速的开关速度，有助于降低开关损耗，并在高频应用中表现出色。
该MOSFET的封装设计提供了良好的散热性能，使其在高功率应用中能够保持较低的工作温度，从而延长器件寿命。其栅极设计优化了驱动特性，减少了驱动损耗，适用于各种高性能电源转换系统。
在可靠性方面，IXFN170N10通过了严格的工业标准测试，具有较高的耐用性和稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持良好的性能。
IXFN170N10广泛应用于高功率电源系统，如工业电源、UPS（不间断电源）、逆变器、DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。此外，它还适用于需要高电流能力的开关电源和大功率LED驱动电路。
IXFN170N10可替代的型号包括Infineon Technologies的IPP170N10S4-03和STMicroelectronics的STP170N10F7-AG。这些替代型号在电气性能和封装上与IXFN170N10相似，适合在相同的应用场景中使用。
