容量：256K x 16位
　　组织结构：256K地址，每个地址16位数据
　　工作电压：5V
　　访问时间：55ns（最大）
　　封装类型：50引脚SOJ
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　数据保持电压：2V
　　最大工作电流：200mA
　　时钟频率：-

HM514265DLJ5 采用CMOS技术制造，具备低功耗运行的特性，特别适用于对能耗敏感的应用环境。其55ns的访问时间确保了在当时主流处理器和控制器中的高效数据读写性能。该芯片支持数据保持模式，可以在较低电压下（2V）维持存储数据不丢失，有助于在系统待机或低功耗状态下延长数据保存时间。此外，50引脚SOJ封装提供了良好的机械稳定性和焊接可靠性，适用于表面贴装工艺，增强了产品的耐用性和生产效率。
　　这款DRAM芯片设计上支持异步操作，不需要外部时钟同步即可完成读写操作，简化了系统设计。其宽广的工作温度范围（0°C 至 70°C）使其适用于多种工业和商业环境。同时，该器件具备较强的抗干扰能力，适用于电磁环境较为复杂的系统中。

HM514265DLJ5 主要应用于20世纪90年代至2000年代初的个人计算机、图形加速卡、通信设备、工业控制板、测试仪器和嵌入式系统等领域。由于其16位的数据宽度，它特别适合用于需要快速处理大量数据的应用场景，如图像缓冲存储器、数据采集系统和实时控制设备。此外，在老式游戏机、打印机和数字信号处理器（DSP）系统中也可以找到该芯片的身影。虽然现代系统已逐渐转向更高集成度的内存解决方案，但该芯片仍被用于维修老旧设备或特定的工业控制系统中。

IS61LV25616-55BLLI、CY7C1380CV33-55BZC、IDT71V416S48BQGI、A61256S-55BCM、CY62148EVSZ35LL、AS7C256A-55JC、IS62WV25616BLL-55NLI