IXGH31N60 时间：2025/8/6 8:52:35 阅读：18

IXGH31N60 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 IGBT（绝缘栅双极晶体管），专为高电压和高电流应用而设计。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极晶体管的低导通压降的优点，广泛应用于电力电子变换器、电机驱动、电源系统和可再生能源系统等场合。IXGH31N60 采用了先进的平面穿通（PT）技术，具备优异的开关性能和热稳定性。

参数

集电极-发射极击穿电压 VCES：600 V
　　集电极额定电流 IC：31 A
　　栅极-发射极电压 VGE：±20 V
　　导通压降 VCEsat：2.1 V（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　短路耐受能力：5 μs @ VCE = 300 V
　　封装类型：TO-247AC

特性

IXGH31N60 IGBT 的核心特性包括高电压和高电流处理能力，使其能够胜任于高功率密度设计的应用场景。其导通压降 VCEsat 较低，在额定电流下通常仅为 2.1 V，这有助于降低功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具备出色的短路耐受能力，在 300 V 的集电极-发射极电压下可承受 5 μs 的短路电流，从而提升了器件在异常工况下的可靠性。
　　在开关性能方面，IXGH31N60 的关断时间（turn-off time）较短，适合高频开关应用，有助于减小无源元件（如电感和电容）的尺寸，从而实现更紧凑的功率变换系统。同时，其热阻较低，保证了在高温环境下依然能够稳定工作。
　　另外，该 IGBT 采用 TO-247AC 封装，具有良好的散热性能和机械强度，适用于多种工业环境。器件的栅极驱动电压范围为 ±20 V，与标准的 MOSFET 和 IGBT 驱动器兼容，便于集成到现有的功率电子系统中。

应用

IXGH31N60 主要用于需要高电压和高电流开关能力的场合，例如：工业电机驱动（如变频器和伺服控制器）、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电系统以及感应加热设备。由于其具备较高的短路耐受能力和良好的热稳定性，该器件在需要高可靠性和长寿命的电力电子系统中表现出色。
　　在电机控制应用中，IXGH31N60 可作为主开关元件用于逆变桥电路中，将直流电源转换为可调频率和电压的交流输出，实现对电机速度和扭矩的精确控制。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器和风力发电变流器，该 IGBT 用于将直流侧能量高效地转换为交流并网输出。
　　此外，在电动汽车充电设备中，IXGH31N60 可用于功率因数校正（PFC）电路和 DC-AC 逆变部分，以提升充电效率并减少对电网的谐波污染。