类型：DRAM
　　容量：256K x 16
　　电压：5V
　　封装：TSOP
　　访问时间：5.4ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行
　　数据宽度：16位
　　存储架构：DRAM
　　封装引脚数：54
　　封装尺寸：8mm x 14mm
　　工艺技术：CMOS

HM514260ATT-6R 是一款高性能异步DRAM芯片，具备良好的数据存取速度和稳定性。该芯片的访问时间为5.4ns，能够满足对速度有一定要求的应用场景。其采用CMOS工艺技术，具有较低的静态电流，有助于降低整体功耗，提高系统的能效比。此外，该芯片支持-40°C至+85°C的工作温度范围，适应性强，能够在工业级温度环境中稳定运行。
　　HM514260ATT-6R 采用TSOP封装形式，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适用于空间受限的电子设备。该芯片的并行接口结构使其在与主控器连接时具备较高的数据传输效率，适合用于需要快速读写数据的应用场景。由于其具备16位的数据宽度，能够提供较高的数据吞吐能力，适用于图像处理、控制逻辑、缓存存储等多种用途。
　　作为一款异步DRAM芯片，HM514260ATT-6R 无需外部时钟信号即可进行数据读写操作，简化了电路设计并降低了外围元件的需求。这种特性使得它在一些对成本和复杂度敏感的设计中具有较高的应用价值。

HM514260ATT-6R 适用于多种电子设备和系统，包括工业控制系统、嵌入式设备、视频采集与处理设备、网络通信设备以及消费类电子产品。由于其具备较高的数据吞吐能力和稳定的性能，该芯片常用于需要高速数据缓存或临时存储的应用场合，例如图像处理模块、控制主板的内存扩展、视频采集卡的帧缓存等场景。此外，该芯片也可用于老旧计算机系统的升级或维修，提供可靠的内存支持。

ISSI IS61LV25616-10B4I, Cypress CY62148EVLL-48B6N, Micron MT48LC16M2A2B4-6A