时间：2025/7/10 17:14:00
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1206N820G500CT 是一种基于氮化镓 (GaN) 技术的功率晶体管，属于 GaN 系列器件。该型号采用增强型高电子迁移率晶体管（eHEMT）技术，适用于高频和高效能应用。它具备低导通电阻、快速开关速度和高击穿电压等特性。此器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、无线充电、太阳能逆变器以及其他需要高效能和高频率操作的领域。
由于其卓越的性能，1206N820G500CT 在现代电力电子系统中具有显著优势，特别是在追求更高效率和更小尺寸的设计中。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：5A
导通电阻：0.3Ω
栅极电荷：40nC
输入电容：1500pF
反向传输电容：300pF
开关频率：超过5MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
1206N820G500CT 的主要特性包括高击穿电压（800V），这使其能够承受较高的电压而不损坏；极低的导通电阻（0.3Ω），有助于降低传导损耗并提高整体效率；快速开关速度（支持高达5MHz的工作频率），非常适合高频应用场景；以及宽广的工作温度范围（-55℃至+175℃），确保在极端环境下也能稳定运行。
此外，该器件还具备零反向恢复电荷的特性，进一步降低了开关损耗，并且它的封装形式紧凑，便于集成到小型化设计中。这些特点使得1206N820G500CT 成为高性能功率转换应用的理想选择。
该芯片的主要应用领域包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、无线充电设备和电动汽车充电系统。由于其高频和高效能的特性，1206N820G500CT 还被广泛用于工业自动化设备和通信基础设施中的电源模块设计。此外，在消费类电子产品如笔记本电脑适配器、智能手机快充头中也有广泛应用。
1206N820G400CT, 1206N820G600CT
