类型：动态随机存取存储器（DRAM）
　　容量：256K位（64K x 4位）
　　工作电压：5V
　　访问时间：100ns
　　封装类型：28引脚双列直插封装（DIP）
　　引脚数：28
　　接口类型：异步
　　数据宽度：4位
　　刷新周期：64ms
　　工作温度范围：0°C 至 70°C
　　制造工艺：CMOS
　　功耗：典型值约200mW

HM51256CP-10 是一款经典的DRAM芯片，具有较高的集成度和可靠性。其采用CMOS工艺制造，能够在5V电压下稳定工作，具有较低的静态功耗，适用于需要低功耗设计的系统。芯片内置刷新电路，支持自动刷新和自刷新模式，确保数据在长时间运行过程中不会丢失。
　　该芯片的访问时间为100ns，适用于中等速度的存储器应用，支持标准的异步DRAM控制信号，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE）等信号，便于与多种控制器进行接口。其28引脚DIP封装形式便于插拔和维护，适用于早期的计算机主板、工业控制系统以及嵌入式设备。
　　由于其成熟的设计和稳定的性能，HM51256CP-10 在20世纪90年代广泛用于个人计算机、工控设备、通信设备等场合。虽然目前已被更高密度和更高速度的存储器技术所取代，但在一些老旧系统维护和替代应用中仍具有一定价值。

HM51256CP-10 主要用于需要中等容量DRAM存储的系统中，如早期的个人计算机、工业控制系统、嵌入式设备、通信模块和测试仪器等。其异步接口和标准封装使其易于集成到各种主板和扩展卡中，适用于需要稳定DRAM存储解决方案的场合。此外，在一些老旧设备的维护和替代中，该芯片仍然具有一定的使用价值。

TC51264CP-10，CY7C256B-10PC，IDT49C4256A-10TL，UPD41256B1-10C-G