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QMJ212BB7223MGHT 发布时间 时间:2025/7/7 10:32:08 查看 阅读:4

QMJ212BB7223MGHT 是一款高性能的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该芯片采用先进的制造工艺,能够提供较低的导通电阻和较高的开关速度,从而减少能量损耗并提高系统性能。
  这款器件通常被用于需要高效能和快速切换的应用场景,例如 DC-DC 转换器、逆变器以及各类工业和汽车电子系统中。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-263
  VDS(漏源极电压):75V
  RDS(on)(导通电阻):2.5mΩ
  ID(连续漏极电流):90A
  Qg(栅极电荷):45nC
  VGS(th)(栅极阈值电压):4V
  f(工作频率):500kHz
  功耗:200W

特性

QMJ212BB7223MGHT 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (RDS(on)),有效降低传导损耗,提升整体效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 栅极电荷较小,有助于降低驱动损耗。
  4. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 提供出色的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
  这些特性使得 QMJ212BB7223MGHT 成为众多电力电子应用的理想选择。

应用

QMJ212BB7223MGHT 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动车辆中的电机控制器和电池管理系统。
  3. 工业设备中的逆变器和变频器。
  4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
  5. 各类负载开关和保护电路。
  由于其卓越的电气特性和可靠性,该器件适用于对效率和稳定性有较高要求的场景。

替代型号

QMJ212BB7223NGHT, IRF740, FDP55N06L

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QMJ212BB7223MGHT参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥0.60221卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性软端子
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车,SMPS 滤波,Boardflex 敏感
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-