CJP01N80 时间：2025/8/17 2:07:36 阅读：18

CJP01N80是一款由CJ（长电科技）制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于高电压和高功率应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、负载开关等场合。CJP01N80采用TO-92或类似的小型封装形式，具备良好的散热性能，适用于紧凑型电子设计。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：800V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：10A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤1.2Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-92 或 TO-220
　　功率耗散（Pd）：1W（TO-92）或更高（TO-220）

特性

CJP01N80具备多项优异的电气和物理特性，使其适用于多种高电压和高功率应用场景。首先，其最大漏源电压（Vds）为800V，使其适用于高电压电源转换和控制应用。其次，该MOSFET的最大漏极电流为10A，在高电流负载下仍能保持良好的稳定性和效率。导通电阻（Rds(on)）较低，典型值为1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。
　　此外，CJP01N80具有宽广的栅源电压范围（±30V），增强了其在复杂电路环境中的适应能力。其工作温度范围广泛，从-55℃到+150℃，确保在极端温度条件下仍能稳定工作。封装形式多样，包括TO-92和TO-220，满足不同设计需求，同时具备良好的散热性能。
　　该器件采用先进的平面工艺制造，确保了良好的可靠性和耐用性，适用于各种工业和消费类电子产品。同时，其快速开关特性使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、PWM控制和电机驱动。

应用

CJP01N80广泛应用于多个领域，包括电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机控制、LED驱动器、充电器、工业自动化设备以及消费类电子产品。其高电压和高电流处理能力使其特别适合用于需要高效能和高稳定性的电路中。例如，在开关电源中，CJP01N80可作为主开关器件，实现高效的能量转换；在电机控制电路中，可用于PWM调速和方向控制；在LED照明系统中，可用作恒流开关元件。