时间：2025/8/1 12:34:12
阅读：48
IS43TR85120AL-107MBLI 是由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的一款高性能、低功耗的移动式DRAM（mDRAM）芯片。该芯片设计用于便携式电子设备和嵌入式系统，例如智能手机、平板电脑、手持式游戏机和数字多媒体设备。它属于低功耗SDRAM（LP-SDRAM）系列，提供高速数据存取能力，同时保持较低的功耗，以延长电池供电设备的续航时间。
容量：512Mb
类型：Mobile SDRAM
组织结构：x16
电压：1.7V - 3.3V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装：TSOP
时钟频率：107MHz
数据速率：107MHz
接口：LVTTL
数据宽度：16位
刷新周期：64ms
IS43TR85120AL-107MBLI 是一款具有多种优势的移动DRAM芯片。其核心特性之一是低电压操作，支持1.7V至3.3V的宽电压范围，有助于在多种系统设计中实现节能目标。此外，该芯片支持107MHz的高时钟频率，能够提供高速的数据传输能力，满足高性能应用的需求。
该芯片采用TSOP封装形式，具有较小的封装尺寸，适合空间受限的便携设备使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级和消费级的各种严苛环境。
另一个显著特点是其64ms的刷新周期，能够有效减少刷新操作对系统性能的影响，提高整体运行效率。同时，它具备LVTTL接口，兼容多种主控器，简化了系统集成的复杂性。
IS43TR85120AL-107MBLI 还具备自动刷新和自刷新模式，进一步降低了功耗，特别是在设备处于待机状态时，能显著延长电池寿命。
IS43TR85120AL-107MBLI 广泛应用于需要高性能与低功耗平衡的便携式电子产品。常见的应用场景包括智能手机、平板电脑、数码相机、手持式游戏机以及便携式多媒体播放器。此外，它也适用于需要高效内存管理的嵌入式系统，如工业控制设备、车载娱乐系统和智能穿戴设备。
IS43TR85120AL-107KBLI, IS43TR82560AL-107MBLI
