您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IS43TR85120AL-107MBLI

IS43TR85120AL-107MBLI 发布时间 时间:2025/8/1 12:34:12 查看 阅读:41

IS43TR85120AL-107MBLI 是由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的一款高性能、低功耗的移动式DRAM(mDRAM)芯片。该芯片设计用于便携式电子设备和嵌入式系统,例如智能手机、平板电脑、手持式游戏机和数字多媒体设备。它属于低功耗SDRAM(LP-SDRAM)系列,提供高速数据存取能力,同时保持较低的功耗,以延长电池供电设备的续航时间。

参数

容量:512Mb
  类型:Mobile SDRAM
  组织结构:x16
  电压:1.7V - 3.3V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装:TSOP
  时钟频率:107MHz
  数据速率:107MHz
  接口:LVTTL
  数据宽度:16位
  刷新周期:64ms

特性

IS43TR85120AL-107MBLI 是一款具有多种优势的移动DRAM芯片。其核心特性之一是低电压操作,支持1.7V至3.3V的宽电压范围,有助于在多种系统设计中实现节能目标。此外,该芯片支持107MHz的高时钟频率,能够提供高速的数据传输能力,满足高性能应用的需求。
  该芯片采用TSOP封装形式,具有较小的封装尺寸,适合空间受限的便携设备使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C,适用于工业级和消费级的各种严苛环境。
  另一个显著特点是其64ms的刷新周期,能够有效减少刷新操作对系统性能的影响,提高整体运行效率。同时,它具备LVTTL接口,兼容多种主控器,简化了系统集成的复杂性。
  IS43TR85120AL-107MBLI 还具备自动刷新和自刷新模式,进一步降低了功耗,特别是在设备处于待机状态时,能显著延长电池寿命。

应用

IS43TR85120AL-107MBLI 广泛应用于需要高性能与低功耗平衡的便携式电子产品。常见的应用场景包括智能手机、平板电脑、数码相机、手持式游戏机以及便携式多媒体播放器。此外,它也适用于需要高效内存管理的嵌入式系统,如工业控制设备、车载娱乐系统和智能穿戴设备。

替代型号

IS43TR85120AL-107KBLI, IS43TR82560AL-107MBLI

IS43TR85120AL-107MBLI推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IS43TR85120AL-107MBLI参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织512M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页15ns
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-TWBGA(9x10.5)