容量：8K x 8位
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：55ns
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：28引脚SOIC
　　功耗（典型值）：约150mA
　　数据保持电压：2V
　　输入/输出电平：TTL兼容

HM5117800LJ-6 SRAM芯片具有多项优异特性，使其在各类嵌入式系统和工业控制设备中得到广泛应用。
　　首先，该芯片的高速访问时间为55纳秒，使得其能够在高性能系统中提供快速的数据读写能力。这一特性对于需要频繁读写存储器的处理器系统尤为重要，能够有效减少数据延迟，提高系统整体效率。
　　其次，HM5117800LJ-6采用了CMOS工艺，因此具有较低的功耗。即使在待机状态下，该芯片的功耗也非常低，有助于延长电池供电设备的使用时间。此外，该芯片的TTL兼容输入/输出电平使其能够方便地与各种数字电路连接，而无需额外的电平转换器。
　　该芯片的工作电压范围较宽，支持5V ± 10%的供电电压，增强了其在不同电源环境下的适应能力。此外，HM5117800LJ-6在掉电状态下仍能通过数据保持电压（最低2V）维持存储数据不丢失，为系统设计者提供了灵活的电源管理选项。
　　最后，该芯片采用28引脚SOIC封装，具有良好的热稳定性和机械稳定性，适用于工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），能够在恶劣环境中稳定运行。

HM5117800LJ-6 SRAM芯片广泛应用于需要快速存储访问和低功耗特性的电子系统中。例如，在工业控制设备中，该芯片可用作微控制器的外部高速缓存，以提升系统响应速度和数据处理能力。在通信设备中，HM5117800LJ-6可用于存储临时数据或缓冲信息，确保数据传输的稳定性和实时性。
　　此外，该芯片也适用于测试设备和测量仪器，用于存储校准数据或实时采集的测量结果。由于其TTL兼容接口和宽工作电压范围，HM5117800LJ-6在嵌入式系统和便携式设备中也具有良好的适应性，如手持式数据采集器、智能传感器和小型机器人控制器等。
　　值得一提的是，HM5117800LJ-6的掉电数据保持能力使其在需要非易失性存储器（如电池供电的实时时钟模块）中也有一定的应用潜力，特别是在系统需要短暂断电保护的场合。

CY62148EVLL-55BZS, IS61LV25616AL-6T, IDT71V016SA55B, AS7C34098A-55BCTR