时间：2025/9/7 5:37:03
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HM5117405S6是一款由Hynix（现为SK Hynix）公司生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于高速DRAM器件，广泛应用于需要高性能存储系统的电子设备中，如计算机主板、工业控制设备和通信设备等。该封装形式为TSOP（Thin Small Outline Package），具备良好的电气性能和热稳定性，适合高密度电路设计。
容量：16MB
组织结构：1M x 16
电压：3.3V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：异步
最大工作频率：166MHz
刷新方式：自动刷新/自刷新
HM5117405S6是一款高速异步DRAM芯片，具备较大的存储容量和较快的数据访问速度，适用于对性能有较高要求的系统。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的可靠性。其异步接口设计使其在各种系统中具有良好的兼容性。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不占用系统总线的情况下维持数据完整性，降低系统功耗并提高稳定性。其TSOP封装设计减小了封装尺寸，同时提高了散热效率，适用于紧凑型高密度PCB布局。该芯片还具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于工业和通信领域的严苛环境条件。
HM5117405S6主要用于需要大容量高速缓存的系统中，如个人计算机、工作站、工业控制设备、网络设备和通信模块。此外，该芯片也适用于图像处理、嵌入式系统和数据采集设备等需要高性能存储的场合。其高稳定性和宽温度范围也使其适用于一些工业自动化和车载电子系统中。
ISSI IS42S16160B-6T、Micron MT48LC16M16A2B4-6A、Alliance AS4LC16M16A2B4-6B
