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HM5117800J-6 发布时间 时间:2025/9/7 13:06:47 查看 阅读:5

HM5117800J-6是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于高速DRAM产品系列,广泛应用于需要大容量内存的电子设备中,如计算机、工业控制系统、嵌入式系统和通信设备等。HM5117800J-6采用标准的DRAM架构,具备较高的存储密度和稳定性,适合在各种高要求环境中使用。该芯片封装形式为TSOP(薄型小外形封装),工作温度范围符合工业标准,确保其在不同环境下都能稳定运行。

参数

容量:1M × 16 位
  组织结构:16Mbit
  电源电压:5V
  访问时间:6ns
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据保持电压:2V
  最大工作频率:166MHz

特性

HM5117800J-6具有多个显著的技术特性,首先其高速访问时间(6ns)使其适用于需要快速数据存取的应用场景。此外,该芯片支持异步操作,允许与各种主控设备兼容,无需严格的时钟同步。芯片内部采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗和较高的抗干扰能力。
  该DRAM芯片还具备良好的可扩展性,多个芯片可以并行使用以构建更大容量的内存系统。为了确保数据的完整性,HM5117800J-6设计了多种控制信号,包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)和写使能(WE),使得系统可以灵活地进行数据读取和写入操作。同时,其TSOP封装形式有助于提高电路板的空间利用率,并降低高频操作下的电磁干扰(EMI)。
  此外,HM5117800J-6符合工业级温度标准,能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行,适用于工业控制、网络设备、医疗仪器等对环境适应性要求较高的场合。

应用

HM5117800J-6主要应用于需要大容量、高速存储的系统中。例如,在嵌入式系统中,它可作为主存储器用于缓存和临时数据存储;在通信设备中,可用于处理高速数据流;在图像处理设备或视频控制器中,用于存储帧缓存数据。此外,该芯片也常用于工业计算机、自动控制设备、测试仪器和网络路由器等对存储性能有较高要求的领域。由于其稳定性和兼容性良好,HM5117800J-6也被广泛应用于老旧系统升级或维护项目中。

替代型号

TC51V1616BTS-66B, CY7C1380B-6AXI, IS61LV25616-10T

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