HM5117800J-6 时间：2025/9/7 13:06:47 阅读：33

HM5117800J-6是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于高速DRAM产品系列，广泛应用于需要大容量内存的电子设备中，如计算机、工业控制系统、嵌入式系统和通信设备等。HM5117800J-6采用标准的DRAM架构，具备较高的存储密度和稳定性，适合在各种高要求环境中使用。该芯片封装形式为TSOP（薄型小外形封装），工作温度范围符合工业标准，确保其在不同环境下都能稳定运行。

参数

容量：1M × 16 位
　　组织结构：16Mbit
　　电源电压：5V
　　访问时间：6ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　数据保持电压：2V
　　最大工作频率：166MHz

特性

HM5117800J-6具有多个显著的技术特性，首先其高速访问时间（6ns）使其适用于需要快速数据存取的应用场景。此外，该芯片支持异步操作，允许与各种主控设备兼容，无需严格的时钟同步。芯片内部采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的抗干扰能力。
　　该DRAM芯片还具备良好的可扩展性，多个芯片可以并行使用以构建更大容量的内存系统。为了确保数据的完整性，HM5117800J-6设计了多种控制信号，包括行地址选通（RAS）、列地址选通（CAS）和写使能（WE），使得系统可以灵活地进行数据读取和写入操作。同时，其TSOP封装形式有助于提高电路板的空间利用率，并降低高频操作下的电磁干扰（EMI）。
　　此外，HM5117800J-6符合工业级温度标准，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定运行，适用于工业控制、网络设备、医疗仪器等对环境适应性要求较高的场合。

应用

HM5117800J-6主要应用于需要大容量、高速存储的系统中。例如，在嵌入式系统中，它可作为主存储器用于缓存和临时数据存储；在通信设备中，可用于处理高速数据流；在图像处理设备或视频控制器中，用于存储帧缓存数据。此外，该芯片也常用于工业计算机、自动控制设备、测试仪器和网络路由器等对存储性能有较高要求的领域。由于其稳定性和兼容性良好，HM5117800J-6也被广泛应用于老旧系统升级或维护项目中。