时间：2025/6/18 23:57:01
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NUP5120X6T2G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率转换芯片，专为高频率、高效率和高功率密度的应用而设计。该芯片集成了驱动器与保护功能，支持快速开关操作，并具备低导通电阻特性，从而显著降低能量损耗。NUP5120X6T2G 适用于电源适配器、快充设备、服务器电源以及各种工业应用中的高频 DC-DC 转换器。
额定电压：650V
最大电流：24A
导通电阻：120mΩ
栅极电荷：80nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
NUP5120X6T2G 采用先进的 GaN 技术，具有以下主要特性：
1. 高开关频率支持，能够达到 MHz 级别，适合小型化设计。
2. 极低的导通电阻和栅极电荷，有效减少传导和开关损耗。
3. 内置过流保护、过温保护等功能，提升系统可靠性。
4. 支持零电压开关（ZVS）拓扑，进一步提高效率。
5. 提供增强型安全工作区（SOA），确保在极端条件下稳定运行。
6. 封装兼容传统 MOSFET，简化升级路径。
NUP5120X6T2G 广泛应用于以下领域：
1. USB-PD 快速充电器和便携式电源适配器。
2. 数据中心及服务器电源模块。
3. 工业级 DC-DC 转换器和逆变器。
4. 消费电子产品的高效能电源解决方案。
5. 无线充电设备和电动汽车车载充电器（OBC）。
