时间：2025/9/7 16:46:54
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HM5116400CS6Z 是由Hynix（现代半导体）生产的一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款DRAM芯片属于高速、低功耗类型，广泛用于需要大容量内存的电子设备中。它采用了CMOS工艺，具备较高的集成度和稳定性，适用于多种工业和消费类电子产品。
容量：16 Mb
组织结构：1 M x 16
封装类型：TSOP（薄型小外形封装）
电源电压：3.3V
访问时间：5.4 ns（最大）
工作温度范围：0°C 至 70°C
引脚数量：54
时钟频率：166 MHz
数据输出类型：三态输出
工作模式：异步模式
HM5116400CS6Z 是一款高性能的DRAM芯片，具有高速数据访问能力和低功耗特性。其异步工作模式允许其与多种主控设备兼容，而无需严格的时钟同步。该芯片支持页模式访问，有助于提高连续数据访问的效率。此外，它的三态输出功能可以在不使用时将输出置于高阻态，从而避免总线冲突。该器件采用先进的CMOS制造工艺，确保了低功耗和高可靠性，适用于长期运行的系统。TSOP封装设计有助于节省空间并提升散热性能，非常适合在紧凑型电子设备中使用。
HM5116400CS6Z 常用于需要高速、大容量存储的应用场景，如图形加速器、工业控制设备、通信模块、嵌入式系统以及视频处理设备等。由于其高性能和低功耗特性，它也适用于对功耗和散热有一定要求的消费类电子产品。
IS61LV10248ALLB4A1、CY7C1041CV33、HM5116100、IDT71V124SA
