型号：UPV1V390MGD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：齐纳二极管
　　齐纳电压（Vz）：1.39V @ Iz = 5μA（典型值）
　　最大齐纳电压：1.46V
　　最小齐纳电压：1.32V
　　测试电流（Iz）：5μA
　　最大耗散功率（Ptot）：200mW
　　最大反向漏电流（Ir）：100nA @ VR = 1V
　　动态阻抗（Zzt）：500Ω max @ Iz = 5μA
　　工作温度范围：-40°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOD-523（SC-79）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　极性：单齐纳二极管
　　引脚数：2

UPV1V390MGD的核心特性之一是其超低的齐纳击穿电压，标称为1.39V，这使其能够在现代低电压数字和模拟电路中作为精密电压参考或信号电平限制器使用。传统齐纳二极管通常在5V以上表现出良好的稳定性和陡峭的击穿特性，而在1.5V以下，大多数所谓的“齐纳”二极管实际上是依赖于隧道效应或肖特基势垒机制实现反向击穿。UPV1V390MGD正是利用了这种低电压下的量子隧穿效应，能够在微小的反向电流下迅速建立稳定的电压降。这一特性对于电池供电设备尤为重要，例如在锂电池供电的系统中，当主电源电压波动时，该器件可用于保护敏感的输入引脚免受过压影响。其低测试电流（5μA）意味着它可以在极低功耗状态下正常工作，非常适合用于待机电路或始终在线的电压检测模块。
　　另一个关键特性是其优异的温度稳定性。尽管低电压齐纳二极管通常具有负温度系数，但ROHM通过材料选择和结构优化，将UPV1V390MGD的温度漂移控制在合理范围内，确保在-40°C至+150°C的宽温度区间内仍能保持可靠的电压调节性能。这对于汽车电子、工业传感器等恶劣环境应用至关重要。此外，该器件的动态阻抗（Zzt）在5μA测试电流下最大为500Ω，虽然相比高压齐纳管略高，但在同类低电压产品中表现良好，足以应对大多数瞬态电压抑制需求。
　　封装方面，UPV1V390MGD采用SOD-523小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约1.6mm x 1.2mm x 0.65mm），适合自动化贴片生产，有助于缩小整体PCB面积。该封装还具备良好的热传导性能和机械强度，配合ROHM严格的制造工艺，确保器件在回流焊过程中不会损坏，并能在长期运行中保持电气特性稳定。此外，该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准（如适用），并通过了JEDEC MSL 1级湿敏等级认证，表明其在高湿环境下具有出色的抗劣化能力。最后，UPV1V390MGD符合RoHS指令和无卤素要求，支持绿色环保生产。

UPV1V390MGD主要应用于需要低电压稳压或信号电平保护的电子系统中。一个典型应用场景是作为微控制器或逻辑IC输入引脚的过压保护元件，特别是在I/O电压低于1.5V的先进制程芯片中，传统5.1V或3.3V齐纳二极管无法适用，而UPV1V390MGD的1.39V击穿电压可有效防止输入信号超过安全阈值，避免闩锁效应或栅氧击穿。其次，该器件常用于低压电源轨的电压参考源，尤其是在没有专用基准电压IC的空间受限设计中，可与电阻分压器配合构成简易稳压电路，为传感器偏置、ADC参考或比较器提供稳定电平。
　　在电池管理系统（BMS）或电量计电路中，UPV1V390MGD可用于监测电池电压状态，通过比较器检测电压是否跌落至特定阈值以下，从而触发低电量报警或关机保护。此外，该器件也适用于通信接口的ESD防护辅助电路，与TVS二极管配合使用，进一步箝位残余电压，提升系统电磁兼容性（EMC）。在消费类电子产品如智能手机、可穿戴设备和平板电脑中，由于其小型化封装和低功耗特性，UPV1V390MGD被广泛用于摄像头模组、触摸屏控制器和无线模块的电源管理单元中。
　　工业控制领域中，该器件可用于PLC输入模块的信号调理电路，确保现场传感器信号在进入ADC前被限制在安全范围内。在汽车电子中，尤其是车载信息娱乐系统和车身控制模块，UPV1V390MGD可用于保护CAN/LIN总线收发器的低电压逻辑端口。此外，由于其宽工作温度范围和高可靠性，该器件也适用于户外设备、医疗仪器和物联网节点等对长期稳定性要求较高的应用环境。