类型：双肖特基二极管
　　配置：共阳极
　　最大重复反向电压 (VRRM)：30 V
　　最大平均正向整流电流 (IF(AV))：200 mA
　　峰值正向浪涌电流 (IFSM)：500 mA
　　最大正向电压 (VF)：@ IF = 10 mA, TA = 25°C: 典型值 0.28 V, 最大值 0.37 V
　　最大反向漏电流 (IR)：@ VR = 30 V, TA = 25°C: 最大值 2 μA
　　反向恢复时间 (trr)：典型值 2 ns
　　工作结温范围 (TJ)：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 (Tstg)：-65°C 至 +150°C
　　封装/包装：SOT-23 (SC-59)

BAT54SGP的核心优势在于其基于肖特基势垒技术的低正向压降与超快开关速度。这种结构通过金属-半导体接触形成势垒，而非传统PN结，从而显著降低了导通损耗并提升了响应频率。在实际应用中，其典型正向压降仅为0.28V（测试条件为10mA），远低于普通硅二极管的0.7V左右，这使得它在低电压、微功耗系统中能够有效减少能量损失，提高整体效率。尤其在电池供电设备如智能手机、可穿戴设备和无线传感器网络中，这一特性有助于延长续航时间。
　　另一个关键性能指标是其极短的反向恢复时间（trr ≈ 2ns），这意味着在高频开关过程中几乎没有反向恢复电荷，避免了因载流子复合引起的开关尖峰和电磁干扰问题。因此，BAT54SGP非常适合用于高频整流、高速逻辑电平箝位、输入保护电路以及DC-DC转换器中的续流或防倒灌设计。
　　器件内部采用共阳极拓扑结构，即两个阴极独立引出而阳极相连，便于实现双通道同步控制或对称信号路径处理。此配置常见于差分信号线路的静电放电（ESD）防护、I/O端口保护以及双轨电源监控电路中。SOT-23封装不仅体积小巧（约2.9mm × 1.6mm × 1.3mm），还具备良好的热传导能力和自动化贴片兼容性，适合高密度PCB布局。
　　此外，BAT54SGP具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），确保在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于工业级甚至部分汽车电子应用场景。其低漏电流（VR=30V时最大仅2μA）进一步增强了在高阻抗电路中的适用性，例如模拟开关、采样保持电路或精密检测模块中，防止不必要的静态功耗和信号失真。总体而言，BAT54SGP是一款集高性能、小尺寸与高可靠性于一体的通用型双肖特基二极管，满足现代电子设计对效率、集成度和可靠性的综合需求。

BAT54SGP广泛应用于多种电子系统中，主要包括便携式消费类电子产品如手机、平板电脑和蓝牙耳机中的电源管理与信号保护电路；在接口电路中用于USB、HDMI、SD卡等高速数据线的ESD防护与电压箝位；在DC-DC转换器中作为续流二极管或防反接元件以提升转换效率；在微控制器单元（MCU）的I/O引脚保护中防止过压与反向电流损伤；在传感器信号调理电路中实现双向限幅与噪声抑制；在电池充电管理系统中用于电流隔离与路径选择；以及在工业控制模块、智能家居设备和通信基站前端电路中承担高频整流与瞬态电压抑制任务。其小封装特性也使其成为高密度表面贴装设计的理想选择。

BAS40-04W, PMG280X, RB520S-40, SS12